| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| ·被动调Q微晶片激光器概述 | 第8-11页 |
| ·微晶片激光器 | 第8-9页 |
| ·被动调Q技术 | 第9-10页 |
| ·被动调Q微晶片激光器的特点 | 第10-11页 |
| ·Cr~(4+):YAG被动调Q微晶片激光器的研究进展 | 第11-16页 |
| ·Cr~(4+):YAG被动调Q红外激光器 | 第11-13页 |
| ·Cr~(4+):YAG被动调Q激光器倍频输出 | 第13-15页 |
| ·双掺杂自调Q激光器 | 第15-16页 |
| ·被动调Q微晶片激光器的应用前景 | 第16-19页 |
| ·本文的研究内容及其意义 | 第19页 |
| 参考文献 | 第19-24页 |
| 第二章 被动调Q的基本原理的研究 | 第24-35页 |
| ·调Q原理 | 第24-27页 |
| ·谐振腔的Q值 | 第24-25页 |
| ·Q开关脉冲建立过程 | 第25-27页 |
| ·实现调Q的基本要求 | 第27页 |
| ·Cr~(4+):YAG被动调Q机理 | 第27-32页 |
| ·Cr~(4+):YAG晶体能级结构 | 第27-29页 |
| ·Cr~(4+):YAG晶体的饱和吸收特性 | 第29-31页 |
| ·Cr~(4+):YAG被动调Q运行机理 | 第31-32页 |
| ·被动调Q与主动调Q的区别 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-35页 |
| 第三章 被动调Q微晶片激光器的脉冲特性研究 | 第35-52页 |
| ·输出激光脉冲特性的理论分析 | 第35-45页 |
| ·速率方程 | 第35-36页 |
| ·速率方程的求解 | 第36-39页 |
| ·脉冲输出特性的计算和讨论 | 第39-43页 |
| ·脉冲序列重复频率的计算和讨论 | 第43-45页 |
| ·输出激光脉冲特性的实验研究 | 第45-49页 |
| ·实验系统 | 第45-46页 |
| ·抽运功率对输出脉冲的影响 | 第46-47页 |
| ·输出镜反射率对输出脉冲的影响 | 第47-48页 |
| ·饱和吸收体初始透射率对输出脉冲的影响 | 第48-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第四章 被动调Q微晶片激光器稳定特性的研究 | 第52-65页 |
| ·输出激光稳定特性的理论分析 | 第52-57页 |
| ·被动调Q技术的不稳定性的基本原因 | 第52-53页 |
| ·单脉冲宽度以及峰值功率稳定性分析 | 第53-55页 |
| ·脉冲序列重复频率稳定性分析 | 第55-57页 |
| ·输出激光稳定特性的实验研究 | 第57-63页 |
| ·抽运功率增加对输出激光稳定性的影响 | 第58-59页 |
| ·耦合输出镜反射率对输出激光稳定性的影响 | 第59-60页 |
| ·饱和吸收体初始透透射率对输出激光稳定性的影响 | 第60-61页 |
| ·抽运功率抖动对Q开关脉冲重复频率稳定性的影响 | 第61-63页 |
| ·小结 | 第63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 第五章 增益预泵浦技术探索 | 第65-72页 |
| ·增益预泵浦的基本原理 | 第65-67页 |
| ·增益预泵浦的理论分析 | 第67-69页 |
| ·抽运参量对输出激光稳定性的影响 | 第67-68页 |
| ·最佳抽运条件的讨论 | 第68-69页 |
| ·增益预泵浦的发展及现状 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-72页 |
| 第六章 总结及展望 | 第72-74页 |
| ·本文的主要研究成果 | 第72-73页 |
| ·下一步拟开展的研究工作 | 第73-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表的研究论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |