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准一维金属氧化物半导体纳米材料的气相合成、结构表征及发光性能研究

第一章 绪论第1-39页
   ·引言第14页
   ·纳米材料概论第14-20页
     ·概念第14-15页
     ·纳米材料的发展历史第15-16页
     ·纳米材料的分类第16-17页
     ·纳米材料的特性第17-20页
   ·一维纳米材料的研究概况及应用前景第20-37页
     ·准一维纳米材料的(合成)制备方法概述第21-33页
       ·气相法第22-30页
       ·液相法第30-31页
       ·模板法第31-33页
     ·准一维纳米材料的物性研究及应用前景第33-37页
   ·本章小结第37页
   ·本文的选题背景、研究内容及意义第37-39页
第二章 一维纳米材料的气相合成实验方法与表征技术简述第39-44页
   ·实验方法第39-40页
     ·实验装置简介第39-40页
     ·试验过程第40页
     ·实验操作规程第40页
     ·实验注意事项第40页
   ·一维纳米材料的表征方法第40-44页
     ·组织形貌与结构分析第41-42页
     ·成分分析第42页
     ·物性分析第42-44页
第三章 自组装周期孪晶结构的In掺杂ZnO纳米线的制备、结构表征、生长机制以及发光性能研究第44-57页
   ·引言第44-45页
   ·实验过程第45-46页
   ·实验结果与讨论第46-56页
     ·ZnO:In纳米线的形貌第46-47页
     ·周期孪晶ZnO:In纳米线的结构与成份第47-50页
     ·周期孪晶ZnO:In纳米线的生长机制第50-52页
     ·枝晶ZnO:In纳米线的结构与成份第52-54页
     ·ZnO:In纳米线的发光性能第54-56页
   ·本章小结第56-57页
第四章 多元氧化物ZnGa_2O_4纳米线的气相合成及其生长机制、发光性能研究第57-65页
   ·引言第57页
   ·实验过程第57-58页
   ·实验结果与讨论第58-64页
     ·ZnGa_2O_4纳米线的形貌第59页
     ·ZnGa_2O_4纳米线的结构与成份第59-62页
     ·ZnGa_2O_4纳米线的生长机制第62页
     ·ZnGa_2O_4纳米线的发光性能第62-64页
   ·本章小结第64-65页
第五章 Ga掺杂SnO_2纳米线的合成及生长机制、光学性能研究第65-73页
   ·引言第65页
   ·实验过程第65-66页
   ·实验结果与讨论第66-72页
     ·Ga掺杂SnO_2准一维纳米结构的形貌第66-67页
     ·Ga掺杂SnO_2纳米线的结构与成份第67-69页
     ·Ga掺杂SnO_2纳米线的生长机制第69-70页
     ·Ga掺杂SnO_2的光致发光性能第70-72页
   ·本章小结第72-73页
全文总结第73-75页
参考文献第75-81页
硕士期间发表的论文第81页

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