第一章 绪论 | 第1-39页 |
·引言 | 第14页 |
·纳米材料概论 | 第14-20页 |
·概念 | 第14-15页 |
·纳米材料的发展历史 | 第15-16页 |
·纳米材料的分类 | 第16-17页 |
·纳米材料的特性 | 第17-20页 |
·一维纳米材料的研究概况及应用前景 | 第20-37页 |
·准一维纳米材料的(合成)制备方法概述 | 第21-33页 |
·气相法 | 第22-30页 |
·液相法 | 第30-31页 |
·模板法 | 第31-33页 |
·准一维纳米材料的物性研究及应用前景 | 第33-37页 |
·本章小结 | 第37页 |
·本文的选题背景、研究内容及意义 | 第37-39页 |
第二章 一维纳米材料的气相合成实验方法与表征技术简述 | 第39-44页 |
·实验方法 | 第39-40页 |
·实验装置简介 | 第39-40页 |
·试验过程 | 第40页 |
·实验操作规程 | 第40页 |
·实验注意事项 | 第40页 |
·一维纳米材料的表征方法 | 第40-44页 |
·组织形貌与结构分析 | 第41-42页 |
·成分分析 | 第42页 |
·物性分析 | 第42-44页 |
第三章 自组装周期孪晶结构的In掺杂ZnO纳米线的制备、结构表征、生长机制以及发光性能研究 | 第44-57页 |
·引言 | 第44-45页 |
·实验过程 | 第45-46页 |
·实验结果与讨论 | 第46-56页 |
·ZnO:In纳米线的形貌 | 第46-47页 |
·周期孪晶ZnO:In纳米线的结构与成份 | 第47-50页 |
·周期孪晶ZnO:In纳米线的生长机制 | 第50-52页 |
·枝晶ZnO:In纳米线的结构与成份 | 第52-54页 |
·ZnO:In纳米线的发光性能 | 第54-56页 |
·本章小结 | 第56-57页 |
第四章 多元氧化物ZnGa_2O_4纳米线的气相合成及其生长机制、发光性能研究 | 第57-65页 |
·引言 | 第57页 |
·实验过程 | 第57-58页 |
·实验结果与讨论 | 第58-64页 |
·ZnGa_2O_4纳米线的形貌 | 第59页 |
·ZnGa_2O_4纳米线的结构与成份 | 第59-62页 |
·ZnGa_2O_4纳米线的生长机制 | 第62页 |
·ZnGa_2O_4纳米线的发光性能 | 第62-64页 |
·本章小结 | 第64-65页 |
第五章 Ga掺杂SnO_2纳米线的合成及生长机制、光学性能研究 | 第65-73页 |
·引言 | 第65页 |
·实验过程 | 第65-66页 |
·实验结果与讨论 | 第66-72页 |
·Ga掺杂SnO_2准一维纳米结构的形貌 | 第66-67页 |
·Ga掺杂SnO_2纳米线的结构与成份 | 第67-69页 |
·Ga掺杂SnO_2纳米线的生长机制 | 第69-70页 |
·Ga掺杂SnO_2的光致发光性能 | 第70-72页 |
·本章小结 | 第72-73页 |
全文总结 | 第73-75页 |
参考文献 | 第75-81页 |
硕士期间发表的论文 | 第81页 |