水热腐蚀多孔硅的光致发光和光电导特性
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-33页 |
| ·多孔硅的研究历史和应用前景 | 第11-13页 |
| ·多孔硅研究的历史 | 第11-12页 |
| ·多孔硅的应用前景 | 第12-13页 |
| ·多孔硅的制备方法 | 第13-16页 |
| ·电化学阳极腐蚀法 | 第13-14页 |
| ·化学染色腐蚀法 | 第14-15页 |
| ·水热腐蚀法 | 第15-16页 |
| ·多孔硅的结构特性 | 第16-18页 |
| ·多孔硅的形成机理 | 第18-20页 |
| ·多孔硅的光致发光特性 | 第20-22页 |
| ·多孔硅的发光机理 | 第22-25页 |
| ·本论文的研究内容 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-33页 |
| 第2章 铁钝化多孔硅光致发光研究 | 第33-51页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·Islam-Kumar模型简介 | 第33-34页 |
| ·铁钝化多孔硅的制备与测量的方法 | 第34页 |
| ·制备条件对铁钝化多孔硅 PL谱的影响 | 第34-46页 |
| ·Fe(NO_3)_3浓度的影响 | 第34-38页 |
| ·腐蚀时间对 PL谱的影响 | 第38-41页 |
| ·相同腐蚀参数的PL谱重复性 | 第41-43页 |
| ·铁钝化多孔硅 PL峰统计 | 第43-44页 |
| ·PL谱变化规律初探 | 第44-46页 |
| ·PL谱随紫外光照时间的变化 | 第46-47页 |
| ·PL峰能量与激发光波长的关系 | 第47-49页 |
| ·结语 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 第3章 铁钝化多孔硅光电导研究 | 第51-69页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·光电导简介 | 第51-53页 |
| ·铁钝化多孔硅的制备与测量的方法 | 第53-54页 |
| ·IPS与单晶硅、普通多孔硅光电导的比较 | 第54-59页 |
| ·铁钝化多孔硅的光电导 | 第54-56页 |
| ·单晶硅的光电导 | 第56-57页 |
| ·普通多孔硅的光电导 | 第57页 |
| ·铁钝化多孔硅高光电导相对值的可能原因 | 第57-59页 |
| ·IPS光电导相对值与偏压的关系 | 第59-63页 |
| ·表面形貌 | 第59-60页 |
| ·暗电流与偏压的关系 | 第60-61页 |
| ·光电流与偏压的关系 | 第61-62页 |
| ·光电导相对值与偏压的关系 | 第62-63页 |
| ·IPS光电导相对值与光强的关系 | 第63-66页 |
| ·IPS光电导的温度稳定性 | 第66-67页 |
| ·结语 | 第67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 附录 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
