| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstact | 第5-11页 |
| 第一章 ZnO基半导体材料及其研究进展 | 第11-33页 |
| ·ZnO薄膜的研究 | 第11-12页 |
| ·ZnO薄膜的基本性质 | 第12-15页 |
| ·ZnO的晶体结构特性 | 第13-15页 |
| ·ZnO的结构参数及性能 | 第15页 |
| ·ZnO薄膜的应用与产业前景 | 第15-19页 |
| ·压电器件 | 第16-17页 |
| ·气敏元件 | 第17页 |
| ·缓冲层 | 第17-18页 |
| ·紫外探测器 | 第18页 |
| ·发光器件 | 第18页 |
| ·太阳能电池 | 第18-19页 |
| ·ZnO薄膜的制备常用方法 | 第19-27页 |
| ·磁控溅射法 | 第19-21页 |
| ·电子束蒸发沉积 | 第21-22页 |
| ·金属有机物化学气相沉积 | 第22-23页 |
| ·喷雾热解法 | 第23-24页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第24-25页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第25-26页 |
| ·分子束外延法 | 第26-27页 |
| ·原子层外延生长法 | 第27页 |
| ·当前氧化锌材料研究面临的问题 | 第27-28页 |
| ·本论文的研究目的和主要工作 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-33页 |
| 第二章 ZnO薄膜的实验室制备 | 第33-41页 |
| ·等离子体化学气相沉积(PECVD)法生长ZnO薄膜 | 第33-35页 |
| ·PECVD技术简介 | 第33-34页 |
| ·自制PECVD生长系统 | 第34-35页 |
| ·ZnO薄膜生长工艺 | 第35-40页 |
| ·衬底选择 | 第35-37页 |
| ·有机锌源选择和其他气体原料 | 第37-38页 |
| ·ZnO薄膜制备过程 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第三章 ZnO薄膜的结构表征 | 第41-61页 |
| ·不同衬底温度下对薄膜质量的影响 | 第41-46页 |
| ·薄膜的结构分析 | 第41-43页 |
| ·薄膜的表面形貌分析 | 第43-46页 |
| ·原子力显微镜(AFM)工作原理 | 第43-44页 |
| ·ZnO薄膜的表面形貌 | 第44-46页 |
| ·不同气流比对薄膜质量的影响 | 第46-49页 |
| ·薄膜的晶体结构分析 | 第46-47页 |
| ·薄膜的表面形貌分析 | 第47-49页 |
| ·ZnO薄膜的断面形貌 | 第49-52页 |
| ·在低温ZnO缓冲层上生长ZnO薄膜结构和表面形貌 | 第52-54页 |
| ·薄膜生长和机理的研究 | 第54-58页 |
| ·薄膜生长理论 | 第54-58页 |
| ·氧源产生和生成氧化锌的反应机理的探讨 | 第58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 第四章 ZnO薄膜电学特性的研究 | 第61-71页 |
| ·ZnO晶体结构缺陷 | 第61-63页 |
| ·ZnO晶体电学缺陷 | 第63页 |
| ·ZnO的电学特性 | 第63-65页 |
| ·薄膜的电学测试 | 第65-68页 |
| ·霍尔测量的工作原理 | 第65-67页 |
| ·ZnO薄膜电学测试结果 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-71页 |
| 第五章 ZnO薄膜的光学性质 | 第71-81页 |
| ·单层膜的反射系数和透射系数 | 第71-73页 |
| ·ZnO薄膜的折射率和消光系数 | 第73-75页 |
| ·薄膜的光学测试 | 第75-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-81页 |
| 第六章 CBD法沉积ZnS缓冲层 | 第81-96页 |
| ·ZnS的性质和晶体结构 | 第81-82页 |
| ·现阶段制备ZnS薄膜的主要方法 | 第82-84页 |
| ·液相法 | 第82-84页 |
| ·微乳法或反胶束法 | 第82-83页 |
| ·乳液法 | 第83页 |
| ·水热合成法 | 第83页 |
| ·快速均匀沉淀法 | 第83页 |
| ·化学浴沉积法 | 第83-84页 |
| ·气相法 | 第84页 |
| ·化学浴沉积法的技术特点和薄膜需要考虑的因素 | 第84-85页 |
| ·CBD法制备ZnS缓冲层 | 第85-86页 |
| ·实验过程 | 第86页 |
| ·氨水和水合肼二元体系制备ZnS缓冲层 | 第86-90页 |
| ·溶液的组成对薄膜表面形貌的影响 | 第86-87页 |
| ·反应温度和沉积时间对薄膜质量的影响 | 第87-90页 |
| ·氨水、水合肼和柠檬酸三元体系制备ZnS缓冲层 | 第90-93页 |
| ·三元体系ZnS薄膜的表面形貌 | 第91-92页 |
| ·ZnS薄膜的光学性能 | 第92-93页 |
| ·本章小结 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-96页 |
| 第七章 CIGS器件的制作和性能测试 | 第96-108页 |
| ·CIGS薄膜太阳能电池的电池结构 | 第96-98页 |
| ·CIGS薄膜太阳能电池的制作过程 | 第98-100页 |
| ·玻璃衬底的选择和清洗 | 第98页 |
| ·溅射Mo层 | 第98页 |
| ·吸收层CIGS(Cu(In_(1-x)Ga_x)Se_2)薄膜材料 | 第98-99页 |
| ·缓冲层CdS、ZnS薄膜材料 | 第99页 |
| ·窗口层ZnO薄膜材料的研究 | 第99页 |
| ·低阻ZnO薄膜的制备 | 第99页 |
| ·镍铝电极的制备 | 第99-100页 |
| ·无镉CIGS太阳能电池的结构和制作 | 第100-101页 |
| ·无镉CIGS薄膜太阳能电池的制备与测试 | 第101-106页 |
| ·CIGS薄膜的结构和形貌 | 第101-102页 |
| ·CIGS基和ZnS／CIGS基的ZnO薄膜制备 | 第102页 |
| ·CIGS太阳能电池的性能测试 | 第102-104页 |
| ·CIGS太阳能电池的断面形貌 | 第104-106页 |
| ·本章小结 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-108页 |
| 结论和工作展望 | 第108-111页 |
| 攻读博士期间已发表和待发表的论文和主持的课题 | 第111-112页 |
| 致谢 | 第112页 |
