| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-16页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·ZnS 的物相结构 | 第7-8页 |
| ·ZnS 的性质与应用 | 第8-9页 |
| ·化工 | 第8页 |
| ·陶瓷 | 第8页 |
| ·光电特性 | 第8-9页 |
| ·光催化特性 | 第9页 |
| ·红外特性 | 第9页 |
| ·气敏性 | 第9页 |
| ·ZnS 的制备方法 | 第9-13页 |
| ·ZnS 粉末的制备 | 第10-11页 |
| ·ZnS 薄膜的制备 | 第11-13页 |
| ·ZnS 基发光薄膜的制备 | 第13页 |
| ·制备ZnS 材料的发展状况 | 第13-15页 |
| ·SILAR 法的应用现状 | 第14页 |
| ·ZnS 超细粉末 | 第14-15页 |
| ·本课题的研究目的和内容 | 第15-16页 |
| 第二章 实验与研究方法 | 第16-23页 |
| ·实验所用原料与设备 | 第16-17页 |
| ·实验原料 | 第16页 |
| ·实验设备 | 第16-17页 |
| ·ZnS 及ZnS：Mn 薄膜的制备 | 第17-21页 |
| ·方案设计 | 第17-20页 |
| ·实验过程 | 第20-21页 |
| ·ZnS 粉体材料的制备 | 第21-23页 |
| ·试剂及仪器 | 第21页 |
| ·实验方法 | 第21-23页 |
| 第三章 SILAR 法制备薄膜的机理分析与影响因素 | 第23-32页 |
| ·生长机理分析 | 第23-25页 |
| ·氧化物表面的羟基化 | 第23-24页 |
| ·SILAR 法薄膜的生长机理 | 第24-25页 |
| ·SILAR 法制备薄膜的影响因素 | 第25-30页 |
| ·衬底表面状态 | 第26页 |
| ·前驱体溶液的pH 值 | 第26页 |
| ·离子前驱体溶液的浓度及反离子的选择 | 第26-27页 |
| ·反应及洗涤时间 | 第27-28页 |
| ·反应温度 | 第28-29页 |
| ·杂质及添加剂 | 第29-30页 |
| ·小结 | 第30页 |
| ·薄膜的生长速率 | 第30-32页 |
| 第四章 实验结果与讨论 | 第32-44页 |
| ·ZnS 薄膜的表征与分析 | 第32-38页 |
| ·结构分析 | 第32-33页 |
| ·成分分析 | 第33-37页 |
| ·光致发光分析 | 第37-38页 |
| ·ZnS：Mn 薄膜的制备与性能 | 第38-40页 |
| ·表面形貌分析 | 第38-39页 |
| ·XPS 分析 | 第39-40页 |
| ·ZnS 超细粉末性能的研究 | 第40-44页 |
| ·成分分析 | 第40页 |
| ·晶体结构与粒径分析 | 第40-41页 |
| ·TEM 分析 | 第41-42页 |
| ·超声波作用对ZnS 纳米粉形成的影响 | 第42-44页 |
| 第五章 结论 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |