| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·电感在射频集成电路中的作用 | 第10-11页 |
| ·片上电感研究进展和存在的问题 | 第11-15页 |
| ·电感的结构研究 | 第11-12页 |
| ·提高电感品质因子 Q值的研究 | 第12-14页 |
| ·电感值算法研究 | 第14页 |
| ·建立 RLC模型的研究 | 第14页 |
| ·电感优化设计研究 | 第14-15页 |
| ·本文的立题意义和研究内容 | 第15-17页 |
| ·立题意义 | 第15页 |
| ·研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 电感的理论分析基础 | 第17-25页 |
| ·电感的物理基础 | 第17-19页 |
| ·法拉第电磁感应定律和楞次定律 | 第17页 |
| ·集成片上电感器的定义 | 第17-18页 |
| ·品质因子 Q值 | 第18页 |
| ·自谐振频率f_(SR)和 Q值最大处的频率f_0 | 第18-19页 |
| ·面积 | 第19页 |
| ·片上电感的损耗分析 | 第19-25页 |
| ·衬底损耗分析 | 第19-21页 |
| ·金属导体损耗分析 | 第21-25页 |
| 第三章 片上螺旋电感的 RLC模型 | 第25-39页 |
| ·电感模型参量计算 | 第25-32页 |
| ·电感值 Ls | 第26-31页 |
| ·串联电阻 Rs | 第31页 |
| ·电容 Cs | 第31页 |
| ·衬底层寄生参数 | 第31-32页 |
| ·电感 RLC模型分析 | 第32-39页 |
| ·电感的主要性能指标计算 | 第32-34页 |
| ·改进的单π物理模型 | 第34-35页 |
| ·双π宽带物理模型 | 第35-37页 |
| ·电感的单π物理模型验证 | 第37-39页 |
| 第四章 片上电感的性能分析和优化设计 | 第39-58页 |
| ·工艺参量对电感性能的影响分析 | 第39-44页 |
| ·衬底对性能的影响 | 第39-40页 |
| ·采用SOI对性能的影响 | 第40-41页 |
| ·金属导体材料对性能的影响 | 第41-43页 |
| ·介质层材料和厚度对性能的影响 | 第43-44页 |
| ·结构参数对电感性能的影响分析 | 第44-52页 |
| ·不同形状电感的性能分析 | 第44-46页 |
| ·外径不同的电感性能分析 | 第46页 |
| ·圈数不同的电感性能分析 | 第46-49页 |
| ·螺旋层导体厚度不同的电感性能分析 | 第49-50页 |
| ·通孔尺寸大小不同的电感性能分析 | 第50页 |
| ·非等平面电感结构的性能分析 | 第50-52页 |
| ·新颖的线宽间距渐变的电感 | 第52-58页 |
| ·线宽和间距与电感性能的关系 | 第52-53页 |
| ·线宽或间距部分渐变的结构分析 | 第53-54页 |
| ·线宽和间距渐变的结构分析 | 第54-55页 |
| ·不同特征尺寸电感的优化分析 | 第55-57页 |
| ·优化设计方法的简单总结 | 第57-58页 |
| 第五章 硅基片上电感的制备和测试分析 | 第58-72页 |
| ·片上电感的制备 | 第58-60页 |
| ·工艺流程 | 第58-59页 |
| ·工艺探讨 | 第59页 |
| ·实验所得的样品图片 | 第59-60页 |
| ·高频在片测试系统及原理 | 第60-63页 |
| ·高频在片测试原理 | 第60-62页 |
| ·在片测试系统 | 第62-63页 |
| ·测试数据处理方法 | 第63-64页 |
| ·S参数的去嵌入 | 第63-64页 |
| ·测试参数提取 | 第64页 |
| ·测试结果与分析 | 第64-72页 |
| ·不同形状的电感的性能测试 | 第65-66页 |
| ·外径不同的电感性能测试 | 第66-67页 |
| ·圈数不同的电感性能测试 | 第67-69页 |
| ·线宽和间距不同的电感性能测试 | 第69-70页 |
| ·优化结构的电感性能测试 | 第70-72页 |
| 结论及展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 攻读硕士学位期间论文发表与专利申请情况 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |