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RF MEMS可变电容及压控振荡器的研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-11页
第一章 绪论第11-34页
 1-1 引言第11-12页
 1-2 传统的片上可变电容第12-14页
  1-2-1 PN结变容二极管第12-13页
  1-2-2 MOS变容管第13-14页
 1-3 RF MEMS可变电容的发展第14-26页
  1-3-1 表面微机械 RF MEMS可变电容第15-23页
  1-3-2 体微机械 RF MEMS可变电容第23页
  1-3-3 LIGA工艺 RF MEMS可变电容第23-24页
  1-3-4 国内RF MEMS可变电容的发展第24-25页
  1-3-5 RF MEMS可变电容的发展趋势第25-26页
 1-4 压控振荡器的研究历史第26-27页
 1-5 RF MEMS压控振荡器的发展第27-33页
  1-5-1 集成了RF MEMS可变电容的压控振荡器第27-30页
  1-5-2 集成了RF MEMS电感的压控振荡器第30-31页
  1-5-3 国内RF MEMS压控振荡器的发展第31-32页
  1-5-4 RF MEMS压控振荡器的发展趋势第32-33页
 1-6 本论文的主要内容第33-34页
第二章 RF MEMS可变电容的设计第34-63页
 2-1 RF MEMS可变电容的性能参数第34-35页
 2-2 RF MEMS可变电容的电学特性设计第35-52页
  2-2-1 HFSS软件理论介绍第35-37页
  2-2-2 共面波导(CPW)传输线的分析和设计第37-43页
   2-2-2-1 CPW传输线特性分析第37-39页
   2-2-2-2 CPW传输线尺寸设计第39-43页
  2-2-3 凹型结构 RF MEMS可变电容的电学特性设计第43-52页
   2-2-3-1 Q值的优化第45-48页
   2-2-3-2 寄生电容讨论第48-52页
 2-3 RF MEMS可变电容的力学特性设计第52-62页
  2-3-1 有限元法简介第52-53页
  2-3-2 RF MEMS可变电容的耦合场分析第53-57页
  2-3-3 模态分析第57-62页
   2-3-3-1 凹型结构的 RF MEMS可变电容的模态分析第58-60页
   2-3-3-2 平行板结构的 RF MEMS可变电容的模态分析第60-62页
 2-4 小结第62-63页
第三章 RF MEMS可变电容的动力学及双稳态分析第63-75页
 3-1 引言第63-64页
 3-2 动力学模型的建立第64-65页
 3-3 基于动力学模型的运动过程分析第65-71页
  3-3-1 空气压膜阻尼对运动的影响第66-68页
  3-3-2 外加电压对运动的影响第68-69页
  3-3-3 运动极板可能存在的三种运动情况第69-71页
 3-4 双稳态现象分析第71-73页
  3-4-1 双稳态现象讨论第71-72页
  3-4-2 双稳态现象出现的原因第72-73页
 3-5 RF MEMS可变电容的调节范围讨论第73-74页
 3-6 小结第74-75页
第四章 RF MEMS可变电容的制备与测试第75-89页
 4-1 RF MEMS可变电容的制备第75-79页
  4-1-1 RF MEMS开关的工艺流程第75-77页
  4-1-2 RF MEMS可变电容的工艺流程第77-78页
  4-1-3 工艺改进第78-79页
 4-2 RF MEMS可变电容的版图设计与实现第79-82页
 4-3 RF MEMS可变电容的测试与分析第82-88页
  4-3-1 微波特性测试第83-86页
  4-3-2 C-V特性测试第86-87页
  4-3-3 测试结果分析第87-88页
 4-4 小结第88-89页
第五章 压控振荡器及其相位噪声研究第89-111页
 5-1 压控振荡器的数学模型第89-91页
 5-2 振荡器的工作原理第91-95页
  5-2-1 反馈振荡器的工作原理第91-94页
   5-2-1-1平衡条件第92页
   5-2-1-2 起振条件第92-93页
   5-2-1-3 稳定条件第93-94页
  5-2-2 负阻振荡器的工作原理第94-95页
 5-3 振荡器的相位噪声特性第95-96页
 5-4 振荡器的相位噪声分析模型第96-104页
  5-4-1 线性时不变(LTI)相位噪声模型第97-101页
   5-4-1-1 Lesson相位噪声模型第97-99页
   5-4-1-2 Craninckx和 Razavi相位噪声模型第99-101页
  5-4-2 线性时变(LTV)相位噪声模型第101-104页
   5-4-2-1 Demir和 Mehrotra的非线性扰动模型第101页
   5-4-2-2 Hajimiri和 Lee的相位噪声模型第101-104页
 5-5 MEMS VCO的相位噪声模型第104-110页
  5-5-1 位移功率谱密度分析第105-106页
  5-5-2 机械热噪声计算第106-107页
  5-5-3 机械热噪声优化第107-109页
  5-5-4 MEMSVCO的相位噪声讨论第109-110页
 5-6 小结第110-111页
第六章 RF MEMS 压控振荡器的研制第111-123页
 6-1 微波薄膜混合集成电路工艺简介第111-112页
 6-2 RF MEMS压控振荡器的低相位噪声设计第112-113页
 6-3 RF MEMS压控振荡器的电路设计第113-117页
  6-3-1 设计原理第113页
  6-3-2 电路设计第113-117页
 6-4 RF MEMS压控振荡器的制作与测试第117-122页
  6-4-1 RF MEMS压控振荡器的制作第117-118页
  6-4-2 RF MEMS压控振荡器的测试第118-122页
 6-5 小结第122-123页
第七章 结论第123-124页
参考文献第124-130页
附录第130-136页
致谢第136-137页
攻读学位期间所取得的相关科研成果第137页

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