| 目录 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstracts | 第8-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-13页 |
| 1．1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1．2 研究的必要性 | 第11页 |
| 1．3 论文的组成内容 | 第11-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-40页 |
| 2．1 多孔硅的形成机理 | 第14-17页 |
| 2．2 多孔硅的研究现状 | 第17-33页 |
| 2．2．1 多孔硅的制备 | 第17-18页 |
| 2．2．2 多孔硅光电物理性能的检测 | 第18-23页 |
| 2．2．3 多孔硅的成分及晶体结构 | 第23-25页 |
| 2．2．4 多孔硅的钝化及复合 | 第25-27页 |
| 2．2．5 多孔硅的光致发光 | 第27-30页 |
| 2．2．6 多孔硅的电致发光 | 第30-33页 |
| 2．3 本章小结 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-40页 |
| 第三章 实验方法 | 第40-49页 |
| 3．1 硅片的清洗及后处理 | 第40页 |
| 3．2 样品制备仪器及其原理 | 第40-41页 |
| 3．3 后处理设备及其原理 | 第41-44页 |
| 3．3．1 RTP设备 | 第41-42页 |
| 3．3．2 旋涂设备 | 第42-43页 |
| 3．3．3 热处理设备 | 第43页 |
| 3．3．4 等离子增强化学气相沉积(PECVD) | 第43-44页 |
| 3．3．5 热蒸涂和磁控溅射设备 | 第44页 |
| 3．4 测试设备及其原理 | 第44-49页 |
| 3．4．1 X射线衍射(XRD) | 第44-45页 |
| 3．4．2 扫描电镜和场发射扫描电镜(FESEM) | 第45页 |
| 3．4．3 透射电子显微镜(TEM) | 第45-46页 |
| 3．4．4 拉曼光谱(Raman) | 第46页 |
| 3．4．5 电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)及光电流(PC)测试 | 第46页 |
| 3．4．6 傅立叶转换红外光谱(FTIR) | 第46-47页 |
| 3．4．7 光致发光谱(PL)和电致发光谱(EL) | 第47-48页 |
| 3．4．8 阴极射线发光(CL) | 第48页 |
| 3．4．9 微波光电导衰减(μ-PCD) | 第48-49页 |
| 第四章 多孔硅的结构和相关光学性能的研究 | 第49-67页 |
| 4．1 引言 | 第49-51页 |
| 4．2 轻掺n型多孔硅制备工艺、形貌和光学性能的关系 | 第51-56页 |
| 4．2．1 多孔硅的制备工艺 | 第51-52页 |
| 4．2．2 TEM样品的制备 | 第52页 |
| 4．2．3 EL样品的制备 | 第52页 |
| 4．2．4 试验结果讨论 | 第52-56页 |
| 4．3 外延n型多孔硅制备工艺、形貌和光学性能的关系 | 第56-60页 |
| 4．3．1 多孔硅的制备工艺 | 第56-57页 |
| 4．3．2 TEM样品的制备 | 第57页 |
| 4．3．3 EL样品的制备 | 第57页 |
| 4．3．4 试验结果讨论 | 第57-60页 |
| 4．4 重掺n型多孔硅制备工艺、形貌和光学性能的关系 | 第60-64页 |
| 4．4．1 多孔硅的制备工艺 | 第60页 |
| 4．4．2 TEM样品的制备 | 第60-61页 |
| 4．4．3 EL样品的制备 | 第61页 |
| 4．4．4 试验结果讨论 | 第61-64页 |
| 4．5 本章结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第五章 多孔硅基复合物的光电性能研究 | 第67-85页 |
| 5．1 引言 | 第67-69页 |
| 5．2 p型多孔硅与纳米硼颗粒的复合 | 第69-71页 |
| 5．2．1 多孔硅的制备 | 第69页 |
| 5．2．2 纳米硼的沉积 | 第69页 |
| 5．2．3 主要试验结果 | 第69-71页 |
| 5．3 p型多孔硅与其他纳米颗粒的复合 | 第71-75页 |
| 5．3．1 复合材料的制备 | 第71页 |
| 5．3．2 试验结果的讨论 | 第71-75页 |
| 5．4 n型多孔硅与有机物的复合 | 第75-78页 |
| 5．4．1 多孔硅的制备 | 第75-76页 |
| 5．4．2 纳米硼的沉积及有机物的复合 | 第76页 |
| 5．4．3 主要试验结果 | 第76-78页 |
| 5．5 n型多孔硅与纳米硼颗粒的复合 | 第78-82页 |
| 5．5．1 多孔硅的制备工艺及纳米颗粒的沉积 | 第78-79页 |
| 5．5．2 试验结果的讨论 | 第79-82页 |
| 5．6 本章结论 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-85页 |
| 第六章 后处理工艺对多孔硅光学性能的影响 | 第85-107页 |
| 6．1 引言 | 第85-86页 |
| 6．2 PECVD氧化钝化 | 第86-89页 |
| 6．2．1 实验方法 | 第86-87页 |
| 6．2．2 实验结果讨论 | 第87-89页 |
| 6．3 PECVD沉积非晶硅的钝化 | 第89-92页 |
| 6．3．1 实验方法 | 第89页 |
| 6．3．2 实验结果 | 第89-92页 |
| 6．4 PECVD沉积C膜的钝化 | 第92-95页 |
| 6．4．1 实验方法 | 第92-93页 |
| 6．4．2 实验结果分析 | 第93-95页 |
| 6．5 PECVD沉积N膜的钝化 | 第95-97页 |
| 6．5．1 实验方法 | 第95页 |
| 6．5．2 实验结果的分析 | 第95-97页 |
| 6．6 常规后处理对多孔硅性能的影响 | 第97-101页 |
| 6．6．1 实验方法 | 第97-98页 |
| 6．6．2 实验结果的讨论 | 第98-101页 |
| 6．7 本章小结 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-107页 |
| 第七章 μ-PCD对多孔硅性能的研究 | 第107-123页 |
| 7．1 前言 | 第107-108页 |
| 7．2 多孔硅的制备工艺和少子寿命的关系 | 第108-112页 |
| 7．2．1 多孔硅的制备 | 第108-109页 |
| 7．2．2 实验结果的讨论 | 第109-112页 |
| 7．3 金属对多孔硅的性能的影响 | 第112-120页 |
| 7．3．1 多孔硅的制备 | 第112页 |
| 7．3．2 结果分析 | 第112-120页 |
| 7．4 本章结论 | 第120-121页 |
| 参考文献 | 第121-123页 |
| 第八章 多孔硅的电学性能的研究 | 第123-145页 |
| 8．1 前言 | 第123-125页 |
| 8．2 多孔硅器件的性能衰退效应 | 第125-129页 |
| 8．2．1 多孔硅器件的制备 | 第125页 |
| 8．2．2 实验结果的讨论 | 第125-129页 |
| 8．3 多孔硅光电效应的研究 | 第129-136页 |
| 8．3．1 多孔硅的制备 | 第129-130页 |
| 8．3．2 试验结果的讨论 | 第130-136页 |
| 8．4 多孔硅电致发光的研究 | 第136-141页 |
| 8．4．1 多孔硅的制备 | 第136页 |
| 8．4．2 实验结果的讨论 | 第136-141页 |
| 8．5 本章结论 | 第141-142页 |
| 参考文献 | 第142-145页 |
| 第九章 多孔硅的CL性能 | 第145-155页 |
| 9．1 前言 | 第145-146页 |
| 9．2 p型多孔硅的CL性能 | 第146-150页 |
| 9．2．1 多孔硅的制备工艺 | 第146-147页 |
| 9．2．2 实验结果的讨论 | 第147-150页 |
| 9．3 n型多孔硅的CL性能 | 第150-153页 |
| 9．3．1 多孔硅的制备工艺 | 第150页 |
| 9．3．2 实验结果的讨论 | 第150-153页 |
| 9．4 本章结论 | 第153-154页 |
| 参考文献 | 第154-155页 |
| 第十章 本论文的主要结论 | 第155-156页 |
| 博士期间发表的论文 | 第156-157页 |
| 致谢 | 第157页 |
