生长氮化镓薄膜的智能高精度温度控制器的研究
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
第一章 绪论 | 第9-18页 |
·氮化镓材料的发展历程、特性与应用 | 第9-12页 |
·氮化镓材料的发展历程与研究热点 | 第9-10页 |
·氮化镓材料的特性 | 第10页 |
·氮化镓材料的应用 | 第10-12页 |
·氮化镓晶体的生长——MOCVD 法 | 第12-14页 |
·MOCVD 简单原理 | 第12-13页 |
·MOCVD 方法生长GaN 的过程 | 第13页 |
·MOCVD 技术的优点 | 第13-14页 |
·课题背景与意义 | 第14-16页 |
·照明光源技术革命 | 第14-15页 |
·国内外研制状况及课题意义 | 第15-16页 |
·温度控制 | 第16页 |
·模糊控制算法 | 第16-17页 |
·课题的内容安排 | 第17-18页 |
·课题的基本内容 | 第17页 |
·论文的章节安排 | 第17-18页 |
第二章 MOCVD 控制系统组成 | 第18-23页 |
·MOCVD 系统组成 | 第18-21页 |
·气体输运系统和反应室 | 第18-19页 |
·源供给系统 | 第19-20页 |
·控制系统 | 第20-21页 |
·MOCVD 控制 | 第21-23页 |
第三章 温度控制系统的特点及常见算法 | 第23-28页 |
·温度控制系统的特点和要求 | 第23-24页 |
·温度系统常见控制算法 | 第24-28页 |
·PID 控制 | 第24页 |
·神经网络控制 | 第24-25页 |
·模糊控制 | 第25-26页 |
·遗传算法 | 第26-28页 |
第四章 温度控制系统的设计与实现 | 第28-39页 |
·算法的选择 | 第28-29页 |
·P-FUZZY-PID 控制器的结构 | 第29页 |
·PID 控制器 | 第29-30页 |
·模糊控制理论 | 第30-39页 |
·模糊系统的组成 | 第30-33页 |
·模糊系统公式 | 第33页 |
·模糊控制器的设计 | 第33-34页 |
·模糊控制器的实现 | 第34-37页 |
·模糊切换方案 | 第37-39页 |
第五章 计算机模拟和仿真分析 | 第39-52页 |
·仿真模型 | 第39页 |
·参数整定 | 第39-45页 |
·PID 控制器参数整定的原理和方法 | 第39-42页 |
·模糊控制器的参数整定 | 第42-45页 |
·量化因子和比例因子 | 第42页 |
·常规模糊控制器与 PID 控制器的相似性 | 第42-45页 |
·阶跃响应 | 第45-47页 |
·鲁棒性和稳定性 | 第47-48页 |
·抗干扰性能 | 第48-49页 |
·系统跟踪特性 | 第49-52页 |
·工艺曲线 | 第49-52页 |
第六章 总结与展望 | 第52-55页 |
·全文总结 | 第52-53页 |
·进一步研究工作 | 第53-55页 |
致谢 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-59页 |
附录 | 第59-65页 |
个人简历、在校期间的研究成果及发表的学术论文 | 第65页 |