| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| ·引言 | 第8-10页 |
| ·场发射 | 第8-9页 |
| ·场发射实质 | 第9-10页 |
| ·逸出功及金属场发射机理 | 第9页 |
| ·负电子亲和势及半导体场发射 | 第9-10页 |
| ·宽禁带半导体材料场发射研究的背景和现状 | 第10-11页 |
| ·低维ZnO 发射体的制备及ZnO 场致电子发射研究进展 | 第11-13页 |
| ·低维ZnO 发射体的制备 | 第11-12页 |
| ·化学制备方法 | 第12页 |
| ·物理制备方法 | 第12页 |
| ·ZnO 场发射的进展 | 第12-13页 |
| ·半导体的场发射理论进展 | 第13-14页 |
| ·场发射的应用及进展 | 第14-15页 |
| ·本论文研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 场致电子发射理论 | 第17-28页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·金属的场致电子发射 | 第17-25页 |
| ·金属尖端的场致电子发射 | 第17-18页 |
| ·场致电子发射的定性解释 | 第18-20页 |
| ·场致电子发射的定量解析 | 第20-25页 |
| ·半导体外场致发射 | 第25-28页 |
| 第三章 ZnO 的场发射行为的数值模拟 | 第28-46页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·ZnO 薄膜场发射的理论计算 | 第28-34页 |
| ·分析模型 | 第28-31页 |
| ·结果分析 | 第31-34页 |
| ·纳米线阵列场发射的理论计算 | 第34-45页 |
| ·纳米线顶端的电场分布 | 第35-37页 |
| ·发射体的长径比对其顶端场强的影响 | 第37-39页 |
| ·发射体的密度优化 | 第39-45页 |
| ·结论 | 第45-46页 |
| 第四章 低维ZnO 的制备表征 | 第46-53页 |
| ·ZnO 微管样品的制备表征 | 第46-50页 |
| ·实验方法 | 第46页 |
| ·实验装置 | 第46页 |
| ·实验结果分析 | 第46-50页 |
| ·X 射线衍射图谱 | 第47页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM) | 第47-48页 |
| ·管状ZnO 的XPS 分析 | 第48-50页 |
| ·ZnO 纳米线阵列的制备表征 | 第50-53页 |
| ·CVD 的基本原理 | 第50页 |
| ·实验过程 | 第50-51页 |
| ·实验结果 | 第51-53页 |
| 第五章 场发射性能的测试 | 第53-68页 |
| ·测试装置及评价参数 | 第53-55页 |
| ·测试装置及测试过程 | 第53-54页 |
| ·评价参数 | 第54-55页 |
| ·ZnO 微管的场发射性能 | 第55-62页 |
| ·ZnO 微管场发射J-F 曲线 | 第55-57页 |
| ·ZnO 微管的F-N 曲线 | 第57-59页 |
| ·ZnO 微管发射的稳定性 | 第59-60页 |
| ·热处理对ZnO 微管发射性能的影响 | 第60-61页 |
| ·真空度对ZnO 微管发射性能的影响 | 第61-62页 |
| ·ZnO 纳米线阵列的场发射性能 | 第62-65页 |
| ·ZnO 微米棒的场发射 | 第65-66页 |
| ·结果比较 | 第66-68页 |
| 第六章 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
| 附录:在硕士期间发表的论文 | 第72页 |