| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-29页 |
| ·大气压射频辉光放电机理 | 第10-14页 |
| ·APGD等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜 | 第14-18页 |
| ·微晶硅薄膜沉积的物理化学机制 | 第18-27页 |
| ·本文研究内容 | 第27-29页 |
| 2 极板间距变化对射频大气压Ar辉光放电特性的影响 | 第29-47页 |
| ·引言 | 第29-30页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第30-34页 |
| ·计算结果及讨论 | 第34-45页 |
| ·小结 | 第45-47页 |
| 3 H_2浓度对大气压射频Ar/SiH_4/H_2反应过程中粒子密度分布的影响 | 第47-57页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第47-50页 |
| ·计算结果及讨论 | 第50-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 4 高频激发对大气压Ar/SiH_4/H_2粒子密度分布的影响 | 第57-69页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第57-58页 |
| ·计算结果及讨论 | 第58-67页 |
| ·小结 | 第67-69页 |
| 5 SiH_4浓度变化对甚高频反应粒子密度的影响 | 第69-85页 |
| ·引言 | 第69页 |
| ·二维计算模型的建立和计算方法 | 第69-72页 |
| ·计算结果及讨论 | 第72-83页 |
| ·小结 | 第83-85页 |
| 6 结论与展望 | 第85-87页 |
| ·本文主要结论 | 第85-86页 |
| ·对未来工作的展望 | 第86-87页 |
| 创新点摘要 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-96页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第96-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |
| 作者简介 | 第98-99页 |
