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硅及稀土材料低维纳米结构的组装和光物理性质

摘要第1-5页
Abstract第5-7页
目录第7-9页
第一章 引言第9-27页
 1-1 纳米材料和纳米结构的基本概念第9-10页
 1-2 纳米科技的研究历史和发展趋势第10-12页
 1-3 低维纳米结构相关领域的研究进展第12-19页
 1-4 本论文的工作内容及研究意义第19-22页
 参考文献第22-27页
第二章 纳米材料的制备和评价方法第27-36页
 2-1 一维纳米结构的制备方案第27-29页
 2-2 材料评价的高分辨电子显微方法第29-34页
  2-2-1 透射电子显微镜的工作原理第30-31页
  2-2-2 Bragg定律和Ewald构型第31-32页
  2-2-3 电子衍射方法第32-34页
 参考文献第34-36页
第三章 稀土离子的发光与光谱理论第36-47页
 3-1 稀土离子的能级和跃迁第36-39页
 3-2 (4f)~6组态的光谱结构与对称性第39-42页
 3-3 光谱测量方法第42-45页
  3-3-1 吸收光谱和发射光谱第42-43页
  3-3-2 激光选择激发第43-44页
  3-3-3 衰减时间和时间分辨光谱第44-45页
 参考文献第45-47页
第四章 稀土配合物/SiO_2微球复合结构的制备及光物理性质第47-63页
 4-1 稀土配合物/SiO_2微球的制备及结构表征第48-52页
 4-2 Eu(TTA)_3phen/SiO_2复合微球的发光第52-54页
 4-3 Eu(DBM)_3phen/SiO_2复合微球的激光选择激发第54-57页
 4-4 介电限域效应对自发辐射速率的影响第57-60页
 4-5 小结第60页
 参考文献第60-63页
第五章 Y_2O_3:Eu纳米管的自组装合成和激光选择激发光谱第63-71页
 5-1 Y_2O_3:Eu纳米管的自组装合成及结构表征第64-65页
 5-2 Y_2O_3:Eu纳米管的室温荧光光谱第65-67页
 5-3 Y_2O_3:Eu纳米管的激光选择激发第67-69页
 5-4 小结第69页
 参考文献第69-71页
第六章 Si/SiO_x核-壳纳米线的自发生长及发光第71-85页
 6-1 Si/SiO_x核-壳纳米线的制备和测试第72-73页
 6-2 Si/SiO_x核-壳纳米线的结构分析第73-76页
 6-3 Si/SiO_x核-壳纳米线的生长机制第76-80页
 6-4 Si/SiO_x核-壳纳米线的发光第80-82页
 6-5 小结第82页
 参考文献第82-85页
第七章 Si_(1-x)C_x合金薄膜的长程有序和超点阵结构第85-97页
 7-1 Si_(1-x)C_x合金的形貌和组分第86-87页
 7-2 Si_(1-x)C_x合金的超点阵结构第87-90页
 7-3 薄膜外延生长中的表面活性剂第90-92页
 7-4 Si_(1-x)C_x超结构的生长机理第92-94页
 7-5 小结第94页
 参考文献第94-97页
第八章 结论与展望第97-102页
 8-1 结论第97-99页
 8-2 展望第99-100页
 参考文献第100-102页
博士期间发表论文目录第102-105页
个人简历第105-106页
致谢第106页

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