| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-37页 |
| ·不挥发存储器 | 第9-16页 |
| ·基于浮栅(floating gate)的闪存(Flash) | 第10-11页 |
| ·铁电存储器(FRAM) | 第11-12页 |
| ·磁存储器(MRAM) | 第12-13页 |
| ·电阻型存储器 | 第13-15页 |
| ·相变存储器(PCM) | 第13-14页 |
| ·阻性存储器(RRAM) | 第14-15页 |
| ·几种新型不挥发存储器的比较 | 第15-16页 |
| ·电阻型存储器的存储机理及发展现状 | 第16-29页 |
| ·相变存储器(PCM)的存储机理 | 第16-21页 |
| ·相变存储器(PCM)的发展现状 | 第21-24页 |
| ·阻性存储器(RRAM)存储机理 | 第24-27页 |
| ·阻性存储器的研究现状 | 第27-29页 |
| ·本文的研究意义及研究内容 | 第29-30页 |
| ·研究意义 | 第29-30页 |
| ·研究内容 | 第30页 |
| 参考文献 | 第30-37页 |
| 第二章 工艺条件与测试手段 | 第37-45页 |
| ·薄膜材料的制备 | 第37-38页 |
| ·薄膜材料的表征 | 第38-40页 |
| ·器件的制备 | 第40-42页 |
| ·薄膜沉积 | 第40页 |
| ·光刻 | 第40-41页 |
| ·干法刻蚀 | 第41页 |
| ·湿法刻蚀 | 第41-42页 |
| ·liftoff工艺 | 第42页 |
| ·器件性能测试 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第三章 Ge_2Sb_2Te_5相变薄膜与器件热模拟 | 第45-60页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5相变薄膜的制备 | 第45-46页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5相变薄膜特性分析 | 第46-52页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5薄膜组分分析 | 第46页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5薄膜结构分析 | 第46-48页 |
| ·薄膜电阻率跟退火温度关系 | 第48-50页 |
| ·GST薄膜厚度对电阻率影响 | 第50-52页 |
| ·器件特性热模拟 | 第52-58页 |
| ·相变存储器热模型 | 第52-55页 |
| ·电极尺寸与RESET电流关系 | 第55页 |
| ·GST厚度与RESET电流的关系 | 第55-56页 |
| ·GST电阻率与RESET电流的关系 | 第56页 |
| ·电极热传导系数与RESET电流的关系 | 第56-57页 |
| ·电极电阻率与RESET电流的关系 | 第57-58页 |
| ·加热层与RESET电流的关系 | 第58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-60页 |
| 第四章 3D纳米相变存储器研究 | 第60-83页 |
| ·引言 | 第60-61页 |
| ·3D纳米相变存储器设计 | 第61-65页 |
| ·3D纳米相变存储器工艺流程 | 第65-68页 |
| ·流片器件参数与版图 | 第68-69页 |
| ·器件制备工艺 | 第69-70页 |
| ·清洗 | 第69页 |
| ·光刻 | 第69-70页 |
| ·薄膜沉积 | 第70页 |
| ·关键工艺研究 | 第70-76页 |
| ·台阶垂直度刻蚀 | 第71-73页 |
| ·TiN纳米线刻蚀 | 第73-75页 |
| ·TiN纳米线打断 | 第75-76页 |
| ·3D纳米相变存储器电学性能测试 | 第76-80页 |
| ·3D纳米相变存储器I-V特性 | 第77-79页 |
| ·3D纳米相变存储器的脉冲测试 | 第79-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-83页 |
| 第五章 Cu_xO基阻性存储器研究 | 第83-110页 |
| ·Cu_xO材料的生长 | 第83-88页 |
| ·Cu_xO基阻性存储器工艺流程 | 第88-89页 |
| ·流片器件参数与版图 | 第89-90页 |
| ·器件制备工艺 | 第90-91页 |
| ·等离子体氧化 | 第90页 |
| ·光刻/打底 | 第90-91页 |
| ·沉积上电极材料 | 第91页 |
| ·liftoff工艺 | 第91页 |
| ·电学性能测试 | 第91-102页 |
| ·I-V电学性能测试 | 第92-93页 |
| ·Cu_xO基阻性存储器电阻与器件面积关系 | 第93-95页 |
| ·Forming电压研究 | 第95-98页 |
| ·脉冲特性测试 | 第98-99页 |
| ·疲劳特性测试 | 第99-101页 |
| ·保持特性测试 | 第101-102页 |
| ·Cu_xO基阻性存储器转换机理分析 | 第102-108页 |
| ·HRS、LRS导电机理分析 | 第103-105页 |
| ·温度与RESET功耗关系 | 第105-106页 |
| ·转换机理分析 | 第106-108页 |
| ·本章小结 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-110页 |
| 第六章 Cu_xO基阻性存储器集成方案研究 | 第110-134页 |
| ·半导体工艺金属化制程介绍 | 第110-111页 |
| ·Cu_xO阻性存储器制备与铜互连工艺集成方案 | 第111-132页 |
| ·基于单大马士革工艺的集成方案 | 第111-116页 |
| ·基于双大马士革工艺的集成方案 | 第116-132页 |
| ·集成方案一(增加两块光刻板) | 第116-123页 |
| ·集成方案二(增加一块光刻板) | 第123-132页 |
| 本章小结 | 第132-133页 |
| 参考文献 | 第133-134页 |
| 第七章 总结与展望 | 第134-137页 |
| 博士研究生期间论文发表情况 | 第137-140页 |
| 致谢 | 第140-141页 |