| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| ·纳米材料及其特性 | 第10-16页 |
| ·纳米尺度特性 | 第10-12页 |
| ·半导体纳米复合材料特性 | 第12-13页 |
| ·半导体纳米颗粒镶嵌复合薄膜特性 | 第13-14页 |
| ·纳米颗粒镶嵌薄膜的制备方法 | 第14-16页 |
| ·半导体/SiO_2纳米颗粒镶嵌薄膜的研究现状 | 第16-25页 |
| ·Ge/SiO_2半导体材料的研究现状 | 第17-20页 |
| ·InP/SiO_2半导体材料的研究现状 | 第20-22页 |
| ·GaP/SiO_2半导体材料的研究现状 | 第22-24页 |
| ·常见的光致发光理论模型 | 第24-25页 |
| ·本论文研究意义及主要内容 | 第25-28页 |
| ·研究目的和意义 | 第25-26页 |
| ·主要研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 半导体/SiO_2薄膜制备 | 第28-30页 |
| ·纳米GaP/SiO_2镶嵌颗粒膜的制备 | 第28-29页 |
| ·薄膜溅射 | 第28-29页 |
| ·薄膜热处理 | 第29页 |
| ·纳米Ge/SiO_2、InP/SiO_2镶嵌颗粒膜的制备 | 第29-30页 |
| 第三章 GaP/SiO_2薄膜结构表征及性能 | 第30-46页 |
| ·GaP/SiO_2纳米薄膜的成分分析 | 第30-32页 |
| ·能谱分析的理论方法 | 第30-31页 |
| ·实验结果及分析 | 第31-32页 |
| ·GaP/SiO_2纳米薄膜的表面形貌观察及结构表征 | 第32-38页 |
| ·表面形貌分析 | 第33-36页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第36-38页 |
| ·GaP/SiO_2纳米复合薄膜拉曼光谱分析 | 第38-42页 |
| ·拉曼光谱实验结果 | 第38-40页 |
| ·拉曼散射结果分析讨论 | 第40-42页 |
| ·光致发光谱分析 | 第42-45页 |
| ·光致发光实验结果及分析 | 第42-43页 |
| ·PL 谱分析 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 Si 衬底上的半导体/SiO_2薄膜结构 | 第46-58页 |
| ·Si 衬底上的半导体/SiO_2薄膜结构 | 第46-51页 |
| ·薄膜的结构与生长 | 第46-49页 |
| ·镶嵌薄膜中纳米颗粒生长抑制机制的探讨 | 第49-51页 |
| ·薄膜内的缺陷能级 | 第51-56页 |
| ·薄膜内的界面 | 第52-54页 |
| ·薄膜内的杂质 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 半导体颗粒镶嵌薄膜光学性能对比分析 | 第58-66页 |
| ·半导体/SiO_2薄膜的光致发光光谱实验结果 | 第58-61页 |
| ·半导体/SiO_2薄膜的光致发光性能对比分析 | 第61-65页 |
| ·半导体/SiO_2薄膜中可能的发光模型 | 第61-62页 |
| ·带间复合 | 第62-63页 |
| ·通过杂质中心的复合 | 第63-64页 |
| ·激子复合 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 发表文章目录 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 个人简况及联系方式 | 第76-77页 |