| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-13页 |
| ·研究背景 | 第9页 |
| ·纳米硅镶嵌结构薄膜研究进展 | 第9-11页 |
| ·本论文的立论依据及内容 | 第11-13页 |
| 第2章 实验设计、设备及过程 | 第13-21页 |
| ·实验设计 | 第13页 |
| ·HWP-CVD沉积纳米硅/氮化硅薄膜及其微结构特性 | 第13页 |
| ·常规热退火下纳米硅/氮化硅薄膜的微结构特性 | 第13页 |
| ·快速光热退火下纳米硅/氮化硅薄膜的微结构特性 | 第13页 |
| ·实验原理、设备及技术 | 第13-16页 |
| ·螺旋波等离子体化学气相沉积 | 第13-14页 |
| ·螺旋波增强等离子体化学气相沉积(HWP-CVD)设备 | 第14-15页 |
| ·真空快速退火炉 | 第15页 |
| ·快速光热退火设备 | 第15-16页 |
| ·薄膜微结构特性分析技术 | 第16-18页 |
| ·拉曼散射谱(Raman) | 第16-17页 |
| ·傅立叶变换红外光谱(FTIR) | 第17页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第17-18页 |
| ·薄膜光学特性分析技术 | 第18-21页 |
| ·光致发光光谱(PL) | 第18-19页 |
| ·紫外-可见吸收光谱(UV-VIS) | 第19-21页 |
| 第3章 HWP-CVD沉积纳米硅/氮化硅薄膜及其微结构特性 | 第21-33页 |
| ·不同沉积温度的纳米硅/氮化硅薄膜微结构及能带特性 | 第21-26页 |
| ·薄膜的FTIR分析 | 第21-22页 |
| ·薄膜的Raman谱分析 | 第22-25页 |
| ·薄膜的光吸收谱分析 | 第25-26页 |
| ·不同氢稀释量的纳米硅/氮化硅薄膜微结构及能带特性 | 第26-32页 |
| ·薄膜的键合结构特性分析 | 第27-28页 |
| ·不同氢稀释量样品的能带特性分析 | 第28-30页 |
| ·不同氢稀释量样品的AFM形貌分析 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 常规热退火下纳米硅/氮化硅薄膜微结构特性 | 第33-40页 |
| ·实验 | 第33页 |
| ·实验结果及讨论 | 第33-39页 |
| ·薄膜的键合特性 | 第33-37页 |
| ·薄膜的Raman特性 | 第37-38页 |
| ·薄膜的能带特性 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第5章 快速光热退火下纳米硅/氮化硅薄膜微结构特性 | 第40-47页 |
| ·不同退火温度下薄膜微结构及光学特性分析 | 第40-44页 |
| ·不同退火温度下薄膜的微结构分析 | 第40-42页 |
| ·薄膜的能带特性分析 | 第42页 |
| ·退火样品的光致发光谱 | 第42-44页 |
| ·不同退火时间下薄膜微结构特性的分析 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 结束语 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
