| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·SiC的研究与进展 | 第7-11页 |
| ·SiC的特性及研究意义 | 第7-9页 |
| ·SiC材料和器件的发展现状 | 第9-11页 |
| ·SiC抗辐照特性分析 | 第11-13页 |
| ·SiC材料的辐照效应 | 第11-13页 |
| ·SiC SBD和MESFET的辐照效应 | 第13页 |
| ·当前SiC SBD和MESFET辐照研究中存在的问题 | 第13-14页 |
| ·本文的主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 辐照陷阱对SiC SBD器件的影响 | 第15-23页 |
| ·ISETCAD中SBD模型和参数选取 | 第15-18页 |
| ·DESSIS简介 | 第15-16页 |
| ·求解的基本方程 | 第16页 |
| ·模型、参数的选择以及算法的设置 | 第16-18页 |
| ·仿真结果及分析 | 第18-21页 |
| ·正向特性 | 第18-20页 |
| ·反向特性 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 MESFET辐照特性的仿真 | 第23-31页 |
| ·4H-SiC MESFET模型 | 第23-26页 |
| ·4H-SiC MESFET载流子输运模型的选择 | 第23-24页 |
| ·4H-SiC MESFET材料特性模型 | 第24-25页 |
| ·4H-SiC MESFET边界条件 | 第25-26页 |
| ·4H-SiC MESFET器件结构与仿真 | 第26-30页 |
| ·本章小节 | 第30-31页 |
| 第四章 Ni/4H-SiC SBD和欧姆接触辐照实验 | 第31-42页 |
| ·Ni/4H-SiC SBD电子辐照实验及分析 | 第31-35页 |
| ·辐照实验介绍 | 第31-32页 |
| ·实验结果和讨论 | 第32-35页 |
| ·Ni/4H-SiC SBD Gamma辐照实验及分析 | 第35-39页 |
| ·辐照实验简介 | 第35-36页 |
| ·实验结果以及分析 | 第36-39页 |
| ·Ni/4H-SiC欧姆接触辐照实验及分析 | 第39-41页 |
| ·辐照实验小结 | 第41-42页 |
| 第五章 结束语 | 第42-45页 |
| 致谢 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果和奖励情况 | 第51页 |
