VDMOSFET计算机仿真分析与设计
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·VDMOS及其热特性测试方法的发展概况 | 第10-11页 |
| ·国内外研究历史和现状 | 第11-12页 |
| ·VDMOS管的主要应用范围 | 第12-13页 |
| ·本论文所做的主要工作 | 第13-14页 |
| 第二章 半导体器件模拟及数值分析 | 第14-26页 |
| ·半导体器件模拟简介 | 第14页 |
| ·器件模拟的数值分析方法 | 第14-19页 |
| ·有限差分法 | 第15-18页 |
| ·有限元法 | 第18-19页 |
| ·常规MOS器件的模拟 | 第19-24页 |
| ·MOS器件的一维模拟 | 第19-21页 |
| ·MOS器件的二维模拟 | 第21-24页 |
| ·MEDICI商用半导体器件模拟软件简介 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 VDMOS导通电阻参数分析 | 第26-41页 |
| ·引言 | 第26-34页 |
| ·VDMOS结构与工作原理 | 第26-27页 |
| ·导通电阻模型的建立 | 第27-34页 |
| ·器件结构参数设计 | 第34-36页 |
| ·外延电阻率的确定 | 第34-35页 |
| ·外延层厚度的确定 | 第35页 |
| ·二氧化硅层厚度和P区扩散浓度 | 第35-36页 |
| ·P_w、P_T对R_(ONA)的影响 | 第36-37页 |
| ·R_(ONA)最佳化设计思想 | 第37-38页 |
| ·VDMOSFET仿真结果 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 VDMOS的终端结构设计 | 第41-58页 |
| ·引言 | 第41-43页 |
| ·场板技术 | 第41-42页 |
| ·场限环技术 | 第42-43页 |
| ·环间距优化设计 | 第43-47页 |
| ·场限环结构 | 第43-44页 |
| ·场限环的优化理论 | 第44-47页 |
| ·偏移场板结构的研究 | 第47-52页 |
| ·场板模型的建立 | 第47-49页 |
| ·结构参数对场板表面电场的影响 | 第49-52页 |
| ·终端结构仿真结果 | 第52-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 VDMOS的瞬态热阻抗测试方法 | 第58-70页 |
| ·半导体器件的热测试 | 第58-62页 |
| ·电学热敏参数法 | 第59-62页 |
| ·功率VDMOSFET的热阻抗测量 | 第62-69页 |
| ·热阻的基本理论 | 第62-64页 |
| ·功率VDMOS管的温敏元件和温敏参数 | 第64-67页 |
| ·功率VDMOSFET瞬态热阻抗的测试原理 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 结论 | 第70-72页 |
| ·结论 | 第70-71页 |
| ·今后的工作 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 在学研究成果 | 第74-75页 |
| 附录 | 第75-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
