| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第1章 介孔材料综述 | 第12-49页 |
| ·引言 | 第12-14页 |
| ·介孔材料的种类与结构 | 第14-17页 |
| ·介孔材料的形成机理 | 第17-21页 |
| ·液晶模板机理（Liquid Crystal Templating， LCT 机理）. | 第17-18页 |
| ·协同作用机理（Cooperative Formation Mechanism， CMF 机理） | 第18-20页 |
| ·其它机理 | 第20-21页 |
| ·介孔材料的合成与表征 | 第21-28页 |
| ·介孔材料的合成方法 | 第21-22页 |
| ·介孔材料的合成路线 | 第22-25页 |
| ·介孔材料表征技术 | 第25-28页 |
| ·介观结构的控制 | 第28-33页 |
| ·表面活性剂堆积参数g | 第28页 |
| ·介孔材料结构控制 | 第28-33页 |
| ·多级有序介孔复合材料 | 第33-35页 |
| ·介孔材料的稳定化. | 第35-40页 |
| ·提高硅酸盐孔壁的缩聚程度 | 第36-37页 |
| ·改变孔壁的结构与组成 | 第37-38页 |
| ·表面修饰，建立保护层 | 第38-39页 |
| ·增加孔壁厚度 | 第39-40页 |
| ·介孔材料的应用 | 第40-42页 |
| ·论文选题 | 第42-43页 |
| ·参考文献 | 第43-49页 |
| 第2章 三嵌段AEC 型阴离子型表面活性剂导向法合成厚壁介孔二氧化硅材料 | 第49-76页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·实验部分 | 第50-53页 |
| ·试剂 | 第50页 |
| ·氨基酸表面活性剂的合成 | 第50页 |
| ·以三嵌段AEC 型阴离子表面活性剂为模板合成厚壁介孔二氧化硅 | 第50-51页 |
| ·AMS 介孔材料的合成 | 第51页 |
| ·以非离子表面活性剂为模板合成有序介孔二氧化硅 | 第51页 |
| ·反相有序介孔碳复制品的合成 | 第51-52页 |
| ·表面活性剂的去除 | 第52页 |
| ·仪器和表征 | 第52页 |
| ·介孔材料壁厚的计算 | 第52-53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-73页 |
| ·AEC 表面活性剂的分子结构与双层硅骨架模型的提出. | 第53-54页 |
| ·以不同类型的表面活性剂为模板合成有序介孔材料 | 第54-63页 |
| ·孔壁厚度的控制 | 第63-66页 |
| ·反相复制介孔碳 | 第66-69页 |
| ·萃取后的介孔材料 | 第69-71页 |
| ·水热稳定性实验 | 第71-73页 |
| ·本章总结 | 第73页 |
| ·参考文献 | 第73-76页 |
| 第3章 厚壁介孔材料相区的研究 | 第76-96页 |
| ·引言 | 第76-77页 |
| ·实验部分 | 第77-79页 |
| ·试剂 | 第77页 |
| ·AEC 型阴离子表面活性剂的合成方法 | 第77页 |
| ·以AEC 型阴离子表面活性剂为模板合成介孔材料 | 第77-78页 |
| （1） TMAPS 助结构导向体系下的介孔材料的合成 | 第77-78页 |
| （2） APS 助结构导向体系下的介孔材料的合成 | 第78页 |
| ·表面活性剂的去除 | 第78-79页 |
| ·仪器和表征 | 第79页 |
| ·结果与讨论 | 第79-93页 |
| ·厚壁介孔二氧化硅的相区研究 | 第79-84页 |
| ·不同添加剂对 C_(12)H_(25)O(CH_2CH_2O)_(10)CH_2COOH—TMAPS—NaOH 合成体系相 区的影响 | 第84-87页 |
| ·以AEC 型阴离子表面活性剂为模板合成有序介孔材料 | 第87-91页 |
| ·以AEC 型阴离子表面活性剂为模板合成有序介孔材料的孔性质 | 第91-93页 |
| ·本章总结 | 第93-94页 |
| ·参考文献 | 第94-96页 |
| 第4章 全文总结 | 第96-97页 |
| ·结论 | 第96页 |
| ·展望 | 第96-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第98页 |
