| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-15页 |
| ·研究意义 | 第9-10页 |
| ·国内外研究动态 | 第10-11页 |
| ·三种不同的ESD 测试脉冲模型和失效类型 | 第11-14页 |
| ·本文研究的内容、结构和工具 | 第14-15页 |
| 第二章 ESD 保护中的常用器件 | 第15-25页 |
| ·ESD 保护电路的原理和设计要求 | 第15-17页 |
| ·ESD 保护电路的原理 | 第15-16页 |
| ·ESD 保护电路的设计要求 | 第16-17页 |
| ·几种常见的ESD 保护结构及原理 | 第17-24页 |
| ·电阻 | 第17-18页 |
| ·二极管 | 第18页 |
| ·MOS 晶体管 | 第18-21页 |
| ·可控硅（SCR） | 第21-23页 |
| ·双极型晶体管 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 对ESD 保护器件回扫特性的研究 | 第25-51页 |
| ·GGNMOS 结构的导通一致性问题 | 第25-28页 |
| ·GGNMOS 结构衬底寄生三极管的模型 | 第25-26页 |
| ·提高GGNMOS 结构抗静电能力的措施 | 第26-28页 |
| ·对影响GGNMOS 结构回扫特性的各因素的研究 | 第28-47页 |
| ·栅长的影响 | 第28-32页 |
| ·漏极接触孔到栅距离的影响 | 第32-35页 |
| ·源极接触孔到栅距离的影响 | 第35-37页 |
| ·栅压的影响 | 第37-39页 |
| ·衬底电压的影响 | 第39-43页 |
| ·衬底掺杂浓度的影响 | 第43-44页 |
| ·结深的影响 | 第44-47页 |
| ·对影响SCR 回扫特性的两种因素的研究 | 第47-50页 |
| ·SCR 回扫特性的回顾 | 第47-48页 |
| ·N 外延层浓度的影响 | 第48-49页 |
| ·L 长度的影响 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 全芯片抗静电结构 | 第51-63页 |
| ·电源到地之间的箝位防护的必要性 | 第51-56页 |
| ·VDD-VSS/地之间箝位电路在实际应用中的例子 | 第56-58页 |
| ·其他的ESD 箝位结构 | 第58-59页 |
| ·多电源/地的ESD 保护设计 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 ESD 保护的工艺考虑和版图设计 | 第63-76页 |
| ·深亚微米工艺方法解决ESD 问题 | 第63-67页 |
| ·ESD-Implant 工艺 | 第63-66页 |
| ·SAB 工艺 | 第66-67页 |
| ·版图设计布局 | 第67-73页 |
| ·版图设计规则 | 第67页 |
| ·叉指结构MOS 管 | 第67-68页 |
| ·匹配 | 第68-69页 |
| ·布线技术 | 第69-70页 |
| ·ESD 保护电路的版图 | 第70-73页 |
| ·测试结果 | 第73-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 第六章 结论和展望 | 第76-77页 |
| ·结论 | 第76页 |
| ·展望 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-83页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第83-84页 |