| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第1章 文献综述 | 第13-46页 |
| ·染色质组成和结构 | 第13-18页 |
| ·染色质的组成 | 第13-15页 |
| ·染色质高级结构 | 第15-17页 |
| ·核小体多样性 | 第17-18页 |
| ·DNA甲基化 | 第18-26页 |
| ·DNA甲基化转移酶 | 第19-20页 |
| ·RNA介导的DNA甲基化 | 第20-21页 |
| ·基因组甲基化模式 | 第21-26页 |
| ·组蛋白表观遗传修饰 | 第26-30页 |
| ·组蛋白表观遗传修饰类型 | 第26-28页 |
| ·组蛋白表观遗传修饰多样性 | 第28-30页 |
| ·表观遗传修饰间的相互作用 | 第30-39页 |
| ·DNA甲基化和组蛋白修饰间的相互作用 | 第30-34页 |
| ·组蛋白表观遗传修饰间的相互作用 | 第34-39页 |
| ·表观遗传修饰在细胞周期中的变化 | 第39-41页 |
| ·组蛋白磷酸化在有丝分裂中的变化 | 第39页 |
| ·组蛋白乙酰基化在细胞周期中的变化 | 第39-40页 |
| ·组蛋白甲基化在细胞周期中的变化 | 第40-41页 |
| ·染色质表观遗传学研究方法 | 第41-45页 |
| ·染色质构象的分析方法 | 第41-42页 |
| ·DNA甲基化分析方法 | 第42-43页 |
| ·组蛋白共价修饰分析方法 | 第43-44页 |
| ·拮抗表观遗传修饰酶的药物 | 第44-45页 |
| ·本研究的目的和意义 | 第45-46页 |
| 第2章 材料和方法 | 第46-59页 |
| ·实验材料 | 第46页 |
| ·实验试剂 | 第46-51页 |
| ·化学药品 | 第46-47页 |
| ·试剂、溶液和缓冲液配方 | 第47-51页 |
| ·抗体 | 第51页 |
| ·实验方法 | 第51-59页 |
| ·材料处理 | 第51页 |
| ·细胞周期测定 | 第51-52页 |
| ·微球菌核酸酶敏感性实验 | 第52-53页 |
| ·免疫染色 | 第53-54页 |
| ·显微观察和图片获取 | 第54页 |
| ·有丝分裂指数计算和平均灰度值获取 | 第54-55页 |
| ·Western-blot | 第55-57页 |
| ·DNA甲基化点杂交 | 第57-59页 |
| 第3章 结果 | 第59-96页 |
| ·药物处理后玉米根尖染色质凝缩状态变化 | 第59-63页 |
| ·流式细胞术显示染色质凝缩状态 | 第59-61页 |
| ·微球菌核酸酶敏感性实验结果 | 第61-63页 |
| ·药物处理引起细胞周期阻滞 | 第63-64页 |
| ·染色质表观遗传修饰在细胞周期中的变化 | 第64-70页 |
| ·组蛋白H4四乙酰基化修饰在细胞周期中的变化 | 第64-67页 |
| ·组蛋白H3K9二甲基化修饰在细胞周期中的变化 | 第67-69页 |
| ·DNA甲基化修饰在细胞周期中的变化 | 第69-70页 |
| ·曲古霉素A(TSA)处理导致细胞周期中表观遗传修饰的变化 | 第70-78页 |
| ·TSA处理引起细胞周期中组蛋白H4四乙酰基化修饰程度增高 | 第70-73页 |
| ·TSA处理引起细胞周期中组蛋白H3K9二甲基化修饰程度降低 | 第73-76页 |
| ·TSA处理引起细胞周期中DNA甲基化修饰程度降低 | 第76-78页 |
| ·5-氮杂胞苷(5-AC)处理导致细胞周期中表观遗传修饰的变化 | 第78-86页 |
| ·5-AC处理引起细胞周期中DNA甲基化修饰程度降低 | 第78-81页 |
| ·5-AC处理引起细胞周期中组蛋白H4四乙酰基化修饰程度增高 | 第81-84页 |
| ·5-AC处理引起细胞周期中组蛋白H3K9二甲基化修饰程度降低 | 第84-86页 |
| ·Western-blot显示TSA和5-AC处理引起组蛋白修饰变化 | 第86-87页 |
| ·DNA甲基化点杂交显示药物处理引起DNA甲基化水平降低 | 第87-88页 |
| ·TSA和5-AC对玉米根尖细胞有丝分裂指数的影响 | 第88-93页 |
| ·小结 | 第93-96页 |
| 第4章 分析与讨论 | 第96-103页 |
| ·染色质表观遗传修饰调控染色质状态 | 第96-97页 |
| ·染色质表观遗传修饰在细胞周期中的变化 | 第97-98页 |
| ·染色质表观遗传修饰对细胞周期的影响 | 第98-99页 |
| ·染色质表观遗传修饰间的联系 | 第99-101页 |
| ·进一步研究展望 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-119页 |
| 在读期间发表/待发表的文章 | 第119-120页 |
| 致谢 | 第120页 |
