| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 太赫兹波 | 第9-12页 |
| 1.1.1 THz波的应用价值 | 第9-11页 |
| 1.1.2 产生THz电磁波的方法 | 第11-12页 |
| 1.2 光电导天线产生THz波的发展状况 | 第12-14页 |
| 1.2.1 国外发展历程 | 第12-13页 |
| 1.2.2 国内发展历程 | 第13-14页 |
| 1.3 本文的主要工作和内容 | 第14-17页 |
| 2 GaAs光电导开关的基本结构和工作模式 | 第17-27页 |
| 2.1 GaAs材料特性 | 第17-19页 |
| 2.2 光电导开关的基本结构 | 第19-20页 |
| 2.3 GaAs光导开关的三种工作模式 | 第20-24页 |
| 2.3.1 线性工作模式 | 第20-21页 |
| 2.3.2 雪崩倍增工作模式 | 第21-23页 |
| 2.3.3 雪崩倍增猝灭工作模式 | 第23-24页 |
| 2.4 光电导开关的太赫兹实现 | 第24-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-27页 |
| 3 用nJ量级飞秒激光触发GaAs光电导开关进入高倍增模式 | 第27-37页 |
| 3.1 砷化镓材料光吸收机制 | 第27-29页 |
| 3.1.1 本征吸收 | 第27-28页 |
| 3.1.2 砷化镓材料的补偿机制 | 第28-29页 |
| 3.2 光电阈值条件 | 第29-30页 |
| 3.2.1 吸收深度与波长的关系 | 第29页 |
| 3.2.2 光能阈值极限 | 第29-30页 |
| 3.3 实验系统搭建 | 第30-34页 |
| 3.3.1 GaAs光电导开关 | 第30-31页 |
| 3.3.2 用nJ量级飞秒激光触发GaAs光电导开关实验装置 | 第31页 |
| 3.3.3 nJ量级飞秒激光触发GaAs光电导开关实验电路 | 第31-33页 |
| 3.3.4 实验仪器介绍 | 第33-34页 |
| 3.4 激光脉冲能量对GaAs光电导开关输出特性的影响 | 第34-36页 |
| 3.4.1 实验内容 | 第34页 |
| 3.4.2 实验结果 | 第34页 |
| 3.4.3 实验分析 | 第34-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 4 实现GaAs光电导开关的高倍增猝灭模式 | 第37-53页 |
| 4.1 高倍增模式下开关的特性分析 | 第37-41页 |
| 4.1.1 转移电子效应 | 第37-39页 |
| 4.1.2 直接带隙 | 第39-40页 |
| 4.1.3 负微分电导产生机理 | 第40-41页 |
| 4.2 光激发电荷畴机制 | 第41-42页 |
| 4.3 GaAs光电导开关准线性输出的影响因素 | 第42-46页 |
| 4.3.1 实验内容 | 第42页 |
| 4.3.2 实验结果 | 第42-44页 |
| 4.3.3 实验分析 | 第44-46页 |
| 4.4 高倍增猝灭工作模式输出结果 | 第46-50页 |
| 4.4.1 倍增率修正 | 第46-49页 |
| 4.4.2 最佳实验结果 | 第49页 |
| 4.4.3 多次触发下输出波形的重复性能 | 第49-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-53页 |
| 5 工作总结和展望 | 第53-55页 |
| 5.1 工作总结 | 第53页 |
| 5.2 工作展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
