| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4页 |
| 第1章 引言 | 第7-12页 |
| 1.1 二维二硫化钼概述 | 第7-8页 |
| 1.2 单层、双层二硫化钼中观察到的缺陷及其意义 | 第8-11页 |
| 1.3 本文研究的主要内容和贡献 | 第11-12页 |
| 第2章 单层二硫化钼中位错的表征分析 | 第12-18页 |
| 2.1 单层二硫化钼中位错核结构的几种预测 | 第12页 |
| 2.2 建立位错核结构模型 | 第12-15页 |
| 2.3 位错核结构模型的像模拟验证 | 第15-17页 |
| 2.4 本章小结 | 第17-18页 |
| 第3章 双层二硫化钼中堆垛缺陷的表征分析 | 第18-31页 |
| 3.1 AB堆垛的双层二硫化钼 | 第18-19页 |
| 3.2 获取存在堆垛缺陷的双层二硫化钼 | 第19页 |
| 3.3 双层二硫化钼中两层二硫化钼信息的分离 | 第19-22页 |
| 3.3.1 分离双层二硫化钼信号的原理 | 第20页 |
| 3.3.2 分离双层二硫化钼信号的结果 | 第20-22页 |
| 3.4 建立堆垛缺陷的模型 | 第22-30页 |
| 3.4.1 确定各项参数 | 第22-23页 |
| 3.4.2 建立尽量还原实验结果的结构模型 | 第23-26页 |
| 3.4.3 引入公度角 | 第26-27页 |
| 3.4.4 建立周期性堆垛缺陷的结构模型 | 第27-30页 |
| 3.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第4章 建立结构模型的具体方法 | 第31-36页 |
| 4.1 建立结构模型的具体方法 | 第31页 |
| 4.2 建立单层含有位错缺陷的二硫化钼结构模型的具体方法 | 第31页 |
| 4.3 建立双层二硫化钼堆垛缺陷的具体方法 | 第31-36页 |
| 第5章 关于堆垛缺陷结构模型的第一性原理计算 | 第36-44页 |
| 5.1 第一性原理计算引论 | 第36页 |
| 5.2 对高分辨照片各区域对应模型的计算 | 第36-37页 |
| 5.3 建立一系列不同旋转角度的双层二硫化钼结构模型 | 第37-39页 |
| 5.4 计算一系列不同旋转角度的双层二硫化钼结构模型的电学结构 | 第39-41页 |
| 5.5 第一性原理计算结果的总结分析 | 第41-44页 |
| 第6章 结论 | 第44-46页 |
| 6.1 研究总结 | 第44-45页 |
| 6.2 需要进一步研究的内容 | 第45-46页 |
| 插图索引 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第54页 |
