摘要 | 第4-6页 |
abstract | 第6-8页 |
第1章 引言 | 第12-31页 |
1.1 研究背景 | 第12页 |
1.2 红外偏振探测技术的研究进展 | 第12-16页 |
1.3 偏振器的发展介绍 | 第16-20页 |
1.4 金属线栅偏振器的国内外研究现状 | 第20-29页 |
1.4.1 在材料设计上的发展和研究现状 | 第20-23页 |
1.4.2 在结构设计上的发展和研究现状 | 第23-27页 |
1.4.3 利用超透射效应来提高偏振特性的发展和研究现况 | 第27-29页 |
1.5 本论文的研究目的和主要内容 | 第29-31页 |
第2章 金属线栅偏振器的相关理论与模型 | 第31-44页 |
2.1 金属介电常数的自由电子模型 | 第31-32页 |
2.2 表面等离子激元及其色散关系 | 第32-38页 |
2.2.1 麦克斯韦方程 | 第32-34页 |
2.2.2 波动方程与表面等离子体的色散关系 | 第34-36页 |
2.2.3 表面等离子激元的特征长度 | 第36-38页 |
2.3 亚波长金属线栅的零阶等效介质理论 | 第38-41页 |
2.4 亚波长线栅的矢量衍射理论 | 第41-43页 |
2.5 本章小结 | 第43-44页 |
第3章 铝基单层金属线栅结构优化与偏振性能分析 | 第44-62页 |
3.1 仿真模型建立 | 第44页 |
3.2 ALWIRES/AL_2O_3结构偏振性能模拟 | 第44-54页 |
3.2.1 线栅周期对偏振性能的影响 | 第45-46页 |
3.2.2 线栅占空比对偏振性能的影响 | 第46-47页 |
3.2.3 金属Al线栅高度对偏振性能的影响 | 第47-48页 |
3.2.4 基底材料对偏振性能的影响 | 第48-50页 |
3.2.5 金属线栅材料对偏振性能的影响 | 第50-54页 |
3.3 ALWIRES/MGF_2DIELECTRICLAYER/AL_2O_3结构偏振性能模拟 | 第54-60页 |
3.3.1 介质层折射率对Ⅰ型和Ⅱ型结构线栅偏振性能的影响 | 第54-55页 |
3.3.2 介质层厚度对Ⅰ型和Ⅱ型结构线栅偏振性能的影响 | 第55-57页 |
3.3.3 Ⅰ型和Ⅱ型结构线栅偏振器的电场强度分布 | 第57-60页 |
3.4 本章小结 | 第60-62页 |
第4章 铝基双层金属线栅结构优化与偏振性能分析 | 第62-72页 |
4.1 仿真模型建立 | 第62页 |
4.2 线栅顺序对偏振性能的影响 | 第62-64页 |
4.3 介质层折射率对偏振性能的影响 | 第64-65页 |
4.4 线栅周期对偏振性能的影响 | 第65-66页 |
4.5 占空比对偏振性能的影响 | 第66-67页 |
4.6 磁局域共振效应对TM偏振光透过率的影响 | 第67-71页 |
4.6.1 磁局域共振效应 | 第67页 |
4.6.2 LC等效电路公式的推导 | 第67-69页 |
4.6.3 MDM结构线栅的电场和磁场强度分布 | 第69-71页 |
4.7 本章小结 | 第71-72页 |
第5章 金属线栅偏振器的制备 | 第72-84页 |
5.1 引言 | 第72页 |
5.2 微纳加工技术简介 | 第72-77页 |
5.3 薄膜制备及沉积工艺介绍 | 第77-81页 |
5.3.1 薄膜沉积技术 | 第77-78页 |
5.3.2 薄膜厚度的监控技术 | 第78-80页 |
5.3.3 镀膜机和沉积工艺介绍 | 第80-81页 |
5.4 金属线栅偏振器的制备工艺流程 | 第81-83页 |
5.5 本章小结 | 第83-84页 |
第6章 测试与结果分析 | 第84-98页 |
6.1 偏振测试装置 | 第84-87页 |
6.2 扫描电子显微镜 | 第87-88页 |
6.3 测试结果与分析 | 第88-96页 |
6.3.1 微观形貌观察 | 第88-90页 |
6.3.2 光学特性测量与分析 | 第90-93页 |
6.3.3 偏振特性的计算与结果分析 | 第93-94页 |
6.3.4 偏振特性结果的误差分析 | 第94-96页 |
6.4 本章总结 | 第96-98页 |
第7章 全文总结与展望 | 第98-102页 |
7.1 全文总结 | 第98-100页 |
7.2 展望 | 第100-102页 |
参考文献 | 第102-111页 |
致谢 | 第111-112页 |
作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第112-113页 |