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中波红外金属线栅偏振器的结构设计与特性研究

摘要第4-6页
abstract第6-8页
第1章 引言第12-31页
    1.1 研究背景第12页
    1.2 红外偏振探测技术的研究进展第12-16页
    1.3 偏振器的发展介绍第16-20页
    1.4 金属线栅偏振器的国内外研究现状第20-29页
        1.4.1 在材料设计上的发展和研究现状第20-23页
        1.4.2 在结构设计上的发展和研究现状第23-27页
        1.4.3 利用超透射效应来提高偏振特性的发展和研究现况第27-29页
    1.5 本论文的研究目的和主要内容第29-31页
第2章 金属线栅偏振器的相关理论与模型第31-44页
    2.1 金属介电常数的自由电子模型第31-32页
    2.2 表面等离子激元及其色散关系第32-38页
        2.2.1 麦克斯韦方程第32-34页
        2.2.2 波动方程与表面等离子体的色散关系第34-36页
        2.2.3 表面等离子激元的特征长度第36-38页
    2.3 亚波长金属线栅的零阶等效介质理论第38-41页
    2.4 亚波长线栅的矢量衍射理论第41-43页
    2.5 本章小结第43-44页
第3章 铝基单层金属线栅结构优化与偏振性能分析第44-62页
    3.1 仿真模型建立第44页
    3.2 ALWIRES/AL_2O_3结构偏振性能模拟第44-54页
        3.2.1 线栅周期对偏振性能的影响第45-46页
        3.2.2 线栅占空比对偏振性能的影响第46-47页
        3.2.3 金属Al线栅高度对偏振性能的影响第47-48页
        3.2.4 基底材料对偏振性能的影响第48-50页
        3.2.5 金属线栅材料对偏振性能的影响第50-54页
    3.3 ALWIRES/MGF_2DIELECTRICLAYER/AL_2O_3结构偏振性能模拟第54-60页
        3.3.1 介质层折射率对Ⅰ型和Ⅱ型结构线栅偏振性能的影响第54-55页
        3.3.2 介质层厚度对Ⅰ型和Ⅱ型结构线栅偏振性能的影响第55-57页
        3.3.3 Ⅰ型和Ⅱ型结构线栅偏振器的电场强度分布第57-60页
    3.4 本章小结第60-62页
第4章 铝基双层金属线栅结构优化与偏振性能分析第62-72页
    4.1 仿真模型建立第62页
    4.2 线栅顺序对偏振性能的影响第62-64页
    4.3 介质层折射率对偏振性能的影响第64-65页
    4.4 线栅周期对偏振性能的影响第65-66页
    4.5 占空比对偏振性能的影响第66-67页
    4.6 磁局域共振效应对TM偏振光透过率的影响第67-71页
        4.6.1 磁局域共振效应第67页
        4.6.2 LC等效电路公式的推导第67-69页
        4.6.3 MDM结构线栅的电场和磁场强度分布第69-71页
    4.7 本章小结第71-72页
第5章 金属线栅偏振器的制备第72-84页
    5.1 引言第72页
    5.2 微纳加工技术简介第72-77页
    5.3 薄膜制备及沉积工艺介绍第77-81页
        5.3.1 薄膜沉积技术第77-78页
        5.3.2 薄膜厚度的监控技术第78-80页
        5.3.3 镀膜机和沉积工艺介绍第80-81页
    5.4 金属线栅偏振器的制备工艺流程第81-83页
    5.5 本章小结第83-84页
第6章 测试与结果分析第84-98页
    6.1 偏振测试装置第84-87页
    6.2 扫描电子显微镜第87-88页
    6.3 测试结果与分析第88-96页
        6.3.1 微观形貌观察第88-90页
        6.3.2 光学特性测量与分析第90-93页
        6.3.3 偏振特性的计算与结果分析第93-94页
        6.3.4 偏振特性结果的误差分析第94-96页
    6.4 本章总结第96-98页
第7章 全文总结与展望第98-102页
    7.1 全文总结第98-100页
    7.2 展望第100-102页
参考文献第102-111页
致谢第111-112页
作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果第112-113页

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