| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 热电研究背景与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 热电效应简介 | 第10-13页 |
| 1.2.1 Seebeck效应 | 第10-11页 |
| 1.2.2 Peltier效应 | 第11-12页 |
| 1.2.3 Thomson效应 | 第12页 |
| 1.2.4 Thomson关系 | 第12-13页 |
| 1.3 改善热电材料性能的主要方法 | 第13-14页 |
| 1.3.1 能带工程 | 第13页 |
| 1.3.2 纳米工程 | 第13-14页 |
| 1.3.3 低维化 | 第14页 |
| 1.4 热电材料的研究进展及现状 | 第14-15页 |
| 1.5 课题的选题目的及主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第2章 研究方法 | 第16-31页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第16-20页 |
| 2.1.1 玻恩-奥本海默近似 | 第16-17页 |
| 2.1.2 Hartree-Fock近似 | 第17-18页 |
| 2.1.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第18页 |
| 2.1.4 Kohn-Sham方程 | 第18-20页 |
| 2.2 交换关联泛函 | 第20-23页 |
| 2.2.1 局域密度近似泛函 | 第20-22页 |
| 2.2.2 广义梯度近似泛函 | 第22页 |
| 2.2.3 投影缀加波赝势方法 | 第22-23页 |
| 2.3 玻尔兹曼输运理论 | 第23-29页 |
| 2.3.1 Seebeck系数 | 第25-26页 |
| 2.3.2 电导率 | 第26-29页 |
| 2.3.3 热导率 | 第29页 |
| 2.4 本文采用的密度泛函理论计算软件 | 第29-31页 |
| 2.4.1 VASP(ViennaAb-initioSimulationPackage) | 第29-30页 |
| 2.4.2 BoltzTraP | 第30页 |
| 2.4.3 Phonopy | 第30页 |
| 2.4.4 ShengBTE | 第30-31页 |
| 第3章 单层SnTe热电性质的第一性原理研究 | 第31-44页 |
| 3.1 研究背景 | 第31页 |
| 3.2 计算方法 | 第31-32页 |
| 3.3 结果分析 | 第32-42页 |
| 3.3.1 单层SnTe的热电性质 | 第35-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 层厚对二维SnTe的热电性能调控 | 第44-54页 |
| 4.1 研究背景 | 第44页 |
| 4.2 计算方法 | 第44-45页 |
| 4.3 结果分析 | 第45-52页 |
| 4.4 小结 | 第52-54页 |
| 第5章 理论研究(Mn,Ge)共掺SnTe的能带结构 | 第54-58页 |
| 5.1 研究背景 | 第54页 |
| 5.2 计算方法 | 第54-55页 |
| 5.3 结果分析 | 第55-57页 |
| 5.4 小结 | 第57-58页 |
| 第6章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第68页 |