| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 热电材料的研究背景、意义及发展 | 第9-10页 |
| 1.2 热电效应 | 第10-13页 |
| 1.2.1 塞贝克效应 | 第10-11页 |
| 1.2.2 帕尔贴效应 | 第11-12页 |
| 1.2.3 汤姆逊效应 | 第12-13页 |
| 1.3 热电材料的性能表征及提高 | 第13-14页 |
| 1.4 CoSb_3基热电材料的发展现状 | 第14-15页 |
| 1.5 本文的研究内容与目的 | 第15-18页 |
| 第2章 热电薄膜的制备与表征方法 | 第18-29页 |
| 2.1 磁控溅射技术 | 第18-19页 |
| 2.2 热电薄膜性能的表征方法 | 第19-29页 |
| 2.2.1 表面形貌及成分表征 | 第20-23页 |
| 2.2.1.1 场发射扫描电镜测试系统 | 第20-21页 |
| 2.2.1.2 光电子能谱(XPS) | 第21-22页 |
| 2.2.1.3 表面轮廓仪 | 第22-23页 |
| 2.2.2 晶体结构表征 | 第23-25页 |
| 2.2.2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第23页 |
| 2.2.2.2 拉曼光谱 | 第23-24页 |
| 2.2.2.3 透射电子显微镜(TEM) | 第24-25页 |
| 2.2.3 热电性能表征 | 第25-28页 |
| 2.2.3.1 塞贝克-电导率系数测量仪 | 第25-27页 |
| 2.2.3.2 霍尔测试系统 | 第27-28页 |
| 2.2.4 光学性能的表征 | 第28-29页 |
| 2.2.4.1 紫外可见光分光光度计 | 第28-29页 |
| 第3章 CoSb_3热电薄膜的制备及性能研究 | 第29-42页 |
| 3.1 溅射功率对成膜质量的影响 | 第29-31页 |
| 3.2 不同靶材成分对成膜质量的影响 | 第31-32页 |
| 3.3 不同退火温度对CoSb_3薄膜热电性能的影响 | 第32-36页 |
| 3.4 不同基底温度对CoSb_3薄膜热电性能的影响 | 第36-41页 |
| 3.5 小结 | 第41-42页 |
| 第4章 掺杂对CoSb_3薄膜热电性能的影响研究 | 第42-63页 |
| 4.1 Ag掺杂对CoSb_3薄膜热电性能的影响 | 第42-57页 |
| 4.1.1 不同Ag掺杂量对基于退火热处理的CoSb_3薄膜热电性能的影响 | 第42-53页 |
| 4.1.2 不同Ag掺杂量对基于一定基底温度沉积的CoSb_3薄膜热电性能的影响 | 第53-57页 |
| 4.2 双元素掺杂对CoSb_3薄膜热电性能的影响 | 第57-61页 |
| 4.3 小结 | 第61-63页 |
| 第5章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 总结 | 第63-64页 |
| 5.2 展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第73页 |
