中文摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第1章 绪论 | 第10-33页 |
1.1 电致变色材料概述 | 第10-11页 |
1.2 电致变色材料的分类 | 第11-15页 |
1.2.1 无机电致变色材料 | 第11-12页 |
1.2.2 有机电致变色材料 | 第12-15页 |
1.3 聚三芳胺类电致变色材料 | 第15-20页 |
1.3.1 聚三芳胺电致变色材料 | 第16-17页 |
1.3.2 聚酰胺电致变色材料 | 第17-18页 |
1.3.3 聚酰亚胺电致变色材料 | 第18-19页 |
1.3.4 聚希夫碱电致变色材料 | 第19-20页 |
1.4 有机电存储器件 | 第20-31页 |
1.4.1 有机电存储器件概述 | 第20-21页 |
1.4.2 聚合物电存储器件 | 第21-25页 |
1.4.3 三芳胺类聚合物电存储器件 | 第25-31页 |
1.5 本课题的选题思路及主要内容 | 第31-33页 |
第2章 实验部分 | 第33-40页 |
2.1 实验仪器及试剂 | 第33-36页 |
2.1.1 主要实验仪器 | 第33-34页 |
2.1.2 主要实验试剂 | 第34-35页 |
2.1.3 试剂的纯化 | 第35页 |
2.1.4 ITO玻璃的预处理 | 第35页 |
2.1.5 聚合物电存储器件制备 | 第35-36页 |
2.2 单体及聚合物的合成 | 第36-38页 |
2.2.1 1,2-双[2-(4-对溴苯氧基)乙氧基]乙烷的合成 | 第36页 |
2.2.2 聚[N-对甲氧基-N-[4-[2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]乙氧基]三苯胺P1的合成 | 第36-37页 |
2.2.3 聚[N-对苯氧基-N-[4-[2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]乙氧基]三苯胺P2的合成 | 第37页 |
2.2.4 聚(N-对苯氧基-N-对甲氧基)三苯胺P3的合成 | 第37页 |
2.2.5 聚[N,N-二(4-苯氧基)]三苯胺P4的合成 | 第37-38页 |
2.3 聚合物的测试和表征方法 | 第38-40页 |
2.3.1 傅里叶红外光谱(FT-IR) | 第38页 |
2.3.2 核磁共振波谱法(1H-NMR) | 第38页 |
2.3.3 凝胶渗透色谱法(GPC) | 第38页 |
2.3.4 热重分析(TGA) | 第38-39页 |
2.3.5 紫外-可见吸收光谱(UV-vis) | 第39页 |
2.3.6 循环伏安法(CV) | 第39页 |
2.3.7 扫描电镜(SEM) | 第39页 |
2.3.8 电存储性能 | 第39-40页 |
第3章 结果与讨论 | 第40-64页 |
3.1 单体和聚合物的合成路线 | 第40-41页 |
3.2 聚合物红外谱图分析 | 第41-42页 |
3.2.1 聚合物P1和P2的红外光谱图 | 第41页 |
3.2.2 聚合物P3和P4的红外光谱图 | 第41-42页 |
3.3 聚合物核磁谱图分析 | 第42-43页 |
3.4 聚合物热性能分析 | 第43-45页 |
3.5 聚合物薄膜紫外-可见吸收光谱 | 第45-46页 |
3.6 聚合物电化学性能分析 | 第46-53页 |
3.6.1 聚合物P1薄膜循环伏安谱图 | 第46-47页 |
3.6.2 聚合物P2薄膜循环伏安谱图 | 第47-48页 |
3.6.3 聚合物P3薄膜循环伏安谱图 | 第48-49页 |
3.6.4 聚合物P4薄膜循环伏安谱图 | 第49-50页 |
3.6.5 四种聚合物变色机理 | 第50-53页 |
3.7 聚合物P1-P4电致变色性能 | 第53-55页 |
3.7.1 聚合物P1薄膜电致变色性能 | 第53页 |
3.7.2 聚合物P2薄膜电致变色性能 | 第53-54页 |
3.7.3 聚合物P3薄膜电致变色性能 | 第54-55页 |
3.7.4 聚合物P4薄膜电致变色性能 | 第55页 |
3.8 薄膜响应时间和变色效率 | 第55-58页 |
3.9 基于对甲苯磺酸掺杂的聚合物电存储性能研究 | 第58-64页 |
3.9.1 聚合物电存储器件结构 | 第58-59页 |
3.9.2 聚合物电存储器件断面形貌 | 第59-60页 |
3.9.3 聚合物电存储器件电学性能研究 | 第60-61页 |
3.9.4 聚合物电存储器件保留时间研究 | 第61-62页 |
3.9.5 聚合物电存储器件电流开关比研究 | 第62-63页 |
3.9.6 本章小结 | 第63-64页 |
结论 | 第64-66页 |
参考文献 | 第66-78页 |
致谢 | 第78-79页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第79页 |