氧化铪基柔性阻变存储器制备及其阻变改性研究
| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 阻变器件的简介 | 第8-13页 |
| 1.1.1 电介质中的阻变现象 | 第8-10页 |
| 1.1.2 阻变器件及其应用 | 第10-13页 |
| 1.2 阻变器件的发展状况及面临的问题 | 第13-15页 |
| 1.2.1 阻变存储器的发展现状 | 第13-14页 |
| 1.2.2 阻变器件的研究趋势与面临的问题 | 第14-15页 |
| 1.3 论文选题依据与研究内容 | 第15-16页 |
| 1.3.1 选题依据 | 第15页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第15-16页 |
| 1.4 本章小结 | 第16-17页 |
| 第二章 阻变材料与器件的制备、测试及仿真方法 | 第17-27页 |
| 2.1 薄膜制备原理及参数 | 第17-19页 |
| 2.1.1 磁控溅射原理与设备 | 第17-18页 |
| 2.1.2 薄膜制备参数 | 第18-19页 |
| 2.2 器件结构设计与制备流程 | 第19-21页 |
| 2.3 材料表征与器件测试方法 | 第21-25页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第21-22页 |
| 2.3.2 原子力显微镜(AFM) | 第22页 |
| 2.3.3 光学性能测试(UV-VIS) | 第22-23页 |
| 2.3.4 电学性能测试(I-V、C-V) | 第23-25页 |
| 2.3.5 X射线光电子谱(XPS) | 第25页 |
| 2.4 阻变器件的多物理场仿真方法 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 柔性透明阻变存储器的特性研究 | 第27-36页 |
| 3.1 薄膜物性研究 | 第27-29页 |
| 3.2 氧化铪基阻变存储器特性及机理分析 | 第29-33页 |
| 3.3 柔性透明阻变存储器稳定性研究 | 第33-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 氧化铪基阻变器件的电子突触行为 | 第36-45页 |
| 4.1 基于阻变器件的电子突触器件 | 第36-39页 |
| 4.2 电子突触器件的学习行为 | 第39-41页 |
| 4.3 突触器件的峰电位时间依赖可塑性研究 | 第41-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 HfO_x/ZnO阻变器件仿真与分析 | 第45-52页 |
| 5.1 阻变过程的电-热耦合仿真 | 第45-49页 |
| 5.2 阻变器件C-V特性分析与计算 | 第49-51页 |
| 5.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 个人简历、在学期间的研究结果及发表的学术论文 | 第60页 |
