| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 MoS_2晶体结构和光电性质 | 第11-13页 |
| 1.3 MoS_2制备研究进展 | 第13-16页 |
| 1.3.1 “自上而下”型 | 第13-14页 |
| 1.3.2 “自下而上”型 | 第14-16页 |
| 1.4 MoS_2应用进展 | 第16-20页 |
| 1.4.1 场效应晶体管(FET) | 第16-18页 |
| 1.4.2 逻辑电路、放大器、闪存器 | 第18-19页 |
| 1.4.3 气敏传感器 | 第19页 |
| 1.4.4 光电器件 | 第19-20页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 MoS_2的制备与表征 | 第22-36页 |
| 2.1 微机械剥离 | 第22-24页 |
| 2.1.1 实验药品、仪器 | 第22-23页 |
| 2.1.2 制备步骤 | 第23-24页 |
| 2.2 高温硫化法 | 第24-25页 |
| 2.2.1 实验药品、仪器 | 第24-25页 |
| 2.2.2 制备步骤 | 第25页 |
| 2.3 化学气相淀积(CVD) | 第25-27页 |
| 2.3.1 实验药品、仪器 | 第25-26页 |
| 2.3.2 制备步骤 | 第26-27页 |
| 2.4 表征方法 | 第27-33页 |
| 2.4.1 光学显微镜表征 | 第27-29页 |
| 2.4.2 拉曼光谱表征 | 第29-31页 |
| 2.4.3 原子力显微镜表征(AFM) | 第31-32页 |
| 2.4.4 X射线衍射仪(XRD) | 第32-33页 |
| 2.4.5 场发射扫描电子显微镜(SEM) | 第33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-36页 |
| 第三章 生长条件对MoS_2产物影响 | 第36-46页 |
| 3.1 温度对高温硫化法制备MoS_2产物的影响 | 第36-38页 |
| 3.2 生长条件对CVD法制备MoS_2产物的影响 | 第38-44页 |
| 3.2.1 衬底预处理 | 第39-41页 |
| 3.2.2 衬底摆放 | 第41-42页 |
| 3.2.3 温度 | 第42-43页 |
| 3.2.4 制备时间 | 第43-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 MoS_2光敏特性和气敏特性研究 | 第46-54页 |
| 4.1 实验药品、设备 | 第46页 |
| 4.2 器件制备 | 第46-47页 |
| 4.3 光敏特性研究 | 第47-50页 |
| 4.3.1 光敏特性测试 | 第47页 |
| 4.3.2 结果与讨论 | 第47-50页 |
| 4.4 气敏特性研究 | 第50-53页 |
| 4.4.1 气敏测试方法 | 第50页 |
| 4.4.2 结果与讨论 | 第50-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 MoS_2基场效应管的制备和性能研究 | 第54-66页 |
| 5.1 实验材料、设备和工艺 | 第54-55页 |
| 5.2 光刻与薄膜蒸镀工艺 | 第55-59页 |
| 5.2.1 涂胶、前烘 | 第55-57页 |
| 5.2.2 曝光、显影、坚膜 | 第57-58页 |
| 5.2.3 真空镀膜、去胶 | 第58-59页 |
| 5.2.4 退火 | 第59页 |
| 5.3 MoS_2基FET器件性能 | 第59-64页 |
| 5.3.1 Al金属电极MoS_2-FET性能 | 第60-62页 |
| 5.3.2 Au电极MoS_2-FET性能 | 第62-64页 |
| 5.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第六章 结论和展望 | 第66-68页 |
| 6.1 结论 | 第66页 |
| 6.2 展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76页 |