| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 半导体光催化剂的概述 | 第10-13页 |
| 1.2.1 半导体的光催化机理 | 第10-11页 |
| 1.2.2 半导体的光催化过程优化 | 第11-13页 |
| 1.3 半导体与贵金属的复合 | 第13-17页 |
| 1.3.1 半导体-贵金属形成肖特基势垒分析 | 第13-16页 |
| 1.3.2 贵金属助催化剂 | 第16-17页 |
| 1.4 课题的研究目的与研究内容 | 第17-19页 |
| 1.4.1 研究目的 | 第17页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 通过负载高指数晶面的PtCu助催化剂来提高光催化CO_2还原性能的研究 | 第19-41页 |
| 2.1 前言 | 第19-20页 |
| 2.2 实验部分 | 第20-26页 |
| 2.2.1 实验中主要使用药品 | 第20-21页 |
| 2.2.2 样品的主要表征仪器 | 第21-22页 |
| 2.2.3 样品制备 | 第22-23页 |
| 2.2.4 样品的光催化性能测试 | 第23-26页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第26-40页 |
| 2.3.1 样品的表征与分析 | 第26-32页 |
| 2.3.2 动力学和光催化性能分析 | 第32-37页 |
| 2.3.3 光催化机理分析 | 第37-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 负载孪晶缺陷的Pd助催化剂来提高CO_2光催化还原性能的研究 | 第41-61页 |
| 3.1 前言 | 第41-42页 |
| 3.2 实验部分 | 第42-45页 |
| 3.2.1 实验中主要使用的药品 | 第42页 |
| 3.2.2 样品的主要表征仪器 | 第42-44页 |
| 3.2.3 样品的制备 | 第44页 |
| 3.2.4 样品的测试 | 第44-45页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第45-59页 |
| 3.3.1 C_3N_4-Pd NTs和C_3N_4-Pd NIs的性质表征 | 第45-52页 |
| 3.3.2 电荷动力学和光催化性能分析 | 第52-55页 |
| 3.3.3 光催化机理分析 | 第55页 |
| 3.3.4 可能的光催化反应机理 | 第55-56页 |
| 3.3.5 不同尺寸Pd的C_3N_4-Pd NIs样品的电荷动力学 | 第56-59页 |
| 3.4 本章总结 | 第59-61页 |
| 第四章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 4.1 总结 | 第61页 |
| 4.2 展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-84页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
