碳纳米管辅助的纳米结构制备
| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4页 |
| 第1章 引言 | 第7-11页 |
| 1.1 纳米加工技术简介 | 第7-8页 |
| 1.2 碳纳米管简介 | 第8-9页 |
| 1.3 论文选题思路和主要内容 | 第9-11页 |
| 1.3.1 论文的选题思路 | 第9页 |
| 1.3.2 论文的主要内容 | 第9-11页 |
| 第2章 碳纳米管薄膜掩模曝光和图形转移 | 第11-29页 |
| 2.1 本章引论 | 第11页 |
| 2.2 紫外曝光原理和分辨率 | 第11-13页 |
| 2.3 碳纳米管薄膜掩模曝光流程 | 第13-19页 |
| 2.3.1 紫外曝光分辨率验证 | 第13-14页 |
| 2.3.2 碳纳米管薄膜掩模版的制备 | 第14-18页 |
| 2.3.3 碳纳米管掩模曝光结果 | 第18-19页 |
| 2.4 碳纳米管薄膜的图形转移 | 第19-24页 |
| 2.4.1 基于曝光的图形化 | 第19-21页 |
| 2.4.2 基于压印的图形化 | 第21-23页 |
| 2.4.3 基于剥离的图形化 | 第23-24页 |
| 2.5 疏水表面的制备 | 第24-27页 |
| 2.5.1 纳米结构对接触角的影响 | 第24-26页 |
| 2.5.2 碳纳米管薄膜形貌的应用 | 第26-27页 |
| 2.6 本章小结 | 第27-29页 |
| 第3章 基于碳纳米管掩蔽的小尺寸结构加工 | 第29-47页 |
| 3.1 本章引论 | 第29页 |
| 3.2 碳纳米管掩蔽加工流程 | 第29-36页 |
| 3.2.1 碳纳米管阵列的生长和转移 | 第31-32页 |
| 3.2.2 碳纳米管掩蔽结构的制备 | 第32-35页 |
| 3.2.3 电子束蒸发、去胶及最终结果 | 第35-36页 |
| 3.3 工艺参数对结果的影响 | 第36-44页 |
| 3.3.1 线条宽度对结果的影响 | 第36-39页 |
| 3.3.2 底层光刻胶厚度对结果的影响 | 第39-41页 |
| 3.3.3 沉积厚度对结果的影响 | 第41-44页 |
| 3.4 实现小尺寸的其他方法 | 第44-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 碳纳米管导电层及应用 | 第47-55页 |
| 4.1 本章引论 | 第47页 |
| 4.2 碳纳米管导电层 | 第47-49页 |
| 4.3 色彩阵列 | 第49-53页 |
| 4.3.1 颜色的调节 | 第50-51页 |
| 4.3.2 颜色的表现 | 第51-52页 |
| 4.3.3 偏振响应 | 第52-53页 |
| 4.4 石英基底上的实现 | 第53-54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第5章 总结 | 第55-57页 |
| 5.1 总结 | 第55页 |
| 5.2 展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第62-63页 |
