| 摘要 | 第7-8页 |
| abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.1.1 防腐涂料的组成 | 第10-11页 |
| 1.1.2 防腐涂料的作用机理 | 第11页 |
| 1.2 水性环氧防腐涂料的发展与研究 | 第11-13页 |
| 1.3 填料在防腐领域的研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3.1 石墨烯 | 第13-14页 |
| 1.3.2 其它无机填料 | 第14-15页 |
| 1.4 论文的研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 实验 | 第16-24页 |
| 2.1 实验试剂与仪器 | 第16-17页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第16-17页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第17页 |
| 2.2 材料制备 | 第17-21页 |
| 2.2.1 氧化石墨烯制备 | 第17-18页 |
| 2.2.2 石墨烯/Si_3N_4水性环氧树脂涂料制备 | 第18-19页 |
| 2.2.3 石墨烯/SiO_2水性环氧防腐涂料的制备 | 第19-21页 |
| 2.3 材料的表征方法 | 第21-24页 |
| 2.3.1 傅里叶红外光谱(FTIR) | 第21页 |
| 2.3.2 X射线衍射(XRD) | 第21页 |
| 2.3.3 拉曼光谱(Ramanspectra) | 第21-22页 |
| 2.3.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第22页 |
| 2.3.5 透射电子显微镜(TEM) | 第22页 |
| 2.3.6 接触角分析 | 第22页 |
| 2.3.7 表面电阻率分析 | 第22页 |
| 2.3.8 交流阻抗分析(EIS) | 第22-24页 |
| 第三章 f-Si_3N_4@RGO/环氧防腐涂料的表征与性能 | 第24-38页 |
| 3.1 引言 | 第24页 |
| 3.2 RGO/Si_3N_4复合材料的表征 | 第24-29页 |
| 3.2.1 傅里叶红外光谱表征 | 第24-25页 |
| 3.2.2 XRD表征 | 第25-26页 |
| 3.2.3 拉曼光谱表征 | 第26-27页 |
| 3.2.4 SEM和TEM表征 | 第27-29页 |
| 3.2.5 复合涂层形貌 | 第29页 |
| 3.3 f-Si_3N_4@RGO/环氧防腐涂料的性能 | 第29-34页 |
| 3.3.1 交流阻抗 | 第29-32页 |
| 3.3.2 环氧涂层腐蚀前后形貌 | 第32-34页 |
| 3.4 f-Si_3N_4@RGO环氧涂料防腐机理 | 第34-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-38页 |
| 第四章 ATO/f-SiO_2@RGO/环氧抗静电防腐涂料的表征与性能 | 第38-50页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 RGO/SiO_2复合材料的表征 | 第38-43页 |
| 4.2.1 傅里叶红外光谱表征 | 第38-39页 |
| 4.2.2 XRD表征 | 第39-40页 |
| 4.2.3 拉曼光谱表征 | 第40-41页 |
| 4.2.4 SEM和TEM表征 | 第41-42页 |
| 4.2.5 复合涂层形貌 | 第42-43页 |
| 4.3 ATO/f-SiO_2@RGO/环氧抗静电防腐涂料的性能 | 第43-47页 |
| 4.3.1 交流阻抗分析 | 第43-44页 |
| 4.3.2 极化分析 | 第44-45页 |
| 4.3.3 环氧涂层腐蚀形貌 | 第45-46页 |
| 4.3.4 接触角分析 | 第46-47页 |
| 4.4 ATO/f-SiO_2@RGO/环氧涂料的抗静电性能 | 第47-48页 |
| 4.5 ATO/f-SiO_2@RGO/环氧涂料抗静电防腐机理 | 第48-49页 |
| 4.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 ATO/CNTs/f-SiO_2@RGO/环氧抗静电防腐涂料的表征与性能 | 第50-58页 |
| 5.1 引言 | 第50页 |
| 5.2 复合涂层形貌 | 第50-52页 |
| 5.3 ATO/CNTs/f-SiO_2@RGO/环氧抗静电防腐涂料的性能 | 第52-54页 |
| 5.3.1 交流阻抗 | 第52-53页 |
| 5.3.2 环氧涂层腐蚀形貌 | 第53-54页 |
| 5.4 ATO/CNTs/f-SiO_2@RGO/环氧涂料的抗静电性能 | 第54-56页 |
| 5.5 ATO/CNTs/f-SiO_2@RGO/环氧涂料抗静电防腐机理 | 第56-57页 |
| 5.6 本章小结 | 第57-58页 |
| 第六章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 附录 | 第70-72页 |
