| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 专用术语注释表 | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-64页 |
| 1.1 概述 | 第14-20页 |
| 1.1.1 神经形态计算的含义 | 第15-17页 |
| 1.1.2 神经形态计算的原理与发展 | 第17-20页 |
| 1.2 忆阻器的提出与实现 | 第20-33页 |
| 1.2.1 忆阻器的提出与基本特征 | 第20-23页 |
| 1.2.2 忆阻器的实现—纳米忆阻器 | 第23-25页 |
| 1.2.3 忆阻器的机理和无机、有机功能材料 | 第25-32页 |
| 1.2.4 忆阻器的应用与未来 | 第32-33页 |
| 1.3 基于突触可塑性的神经形态计算 | 第33-56页 |
| 1.3.1 生物突触可塑性 | 第33-36页 |
| 1.3.2 忆阻器模拟的基于Hebb规则的突触可塑性 | 第36-52页 |
| 1.3.3 稳态可塑性 | 第52-54页 |
| 1.3.4 习惯化敏感化可塑性 | 第54-56页 |
| 1.4 忆阻器实现神经形态计算的问题与不足 | 第56-58页 |
| 1.5 本论文设计思想 | 第58-59页 |
| 1.6 参考文献 | 第59-64页 |
| 第二章 具有自适应动态平衡特征的酞菁铜基电子型忆阻器 | 第64-90页 |
| 2.1 引言 | 第64-65页 |
| 2.2 实验部分 | 第65-66页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第66-86页 |
| 2.3.1 酞菁铜器件的忆阻特征及忆阻机理 | 第66-71页 |
| 2.3.2 基于Hebb规则的突触可塑性的模拟 | 第71-74页 |
| 2.3.3 长期动态平衡特征—稳态可塑性的模拟 | 第74-80页 |
| 2.3.4 长期动态平衡特征—习惯化和敏感化的模拟 | 第80-86页 |
| 2.4 本章小结 | 第86-87页 |
| 2.5 引用文献 | 第87-90页 |
| 第三章 可模拟电阻、整流型电突触的酞菁铜基整流忆阻器 | 第90-110页 |
| 3.1 引言 | 第90-92页 |
| 3.2 实验部分 | 第92页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第92-106页 |
| 3.3.1 整流调控的忆阻行为 | 第92-95页 |
| 3.3.2 LiF、CuPc功能层对整流忆阻行为的调控 | 第95-97页 |
| 3.3.3 整流忆阻器的机理 | 第97-100页 |
| 3.3.4 电子型酞菁铜基忆阻器的持续偏压下的导电特征 | 第100-102页 |
| 3.3.5 酞菁铜整流型忆阻器抗串扰测试 | 第102-103页 |
| 3.3.6 整流型忆阻器模拟电突触 | 第103-106页 |
| 3.4 本章小结 | 第106-107页 |
| 3.5 引用文献 | 第107-110页 |
| 第四章 有机宽带隙半导体聚芴(PFO)二极管器件的可控忆阻模式 | 第110-123页 |
| 4.1 引言 | 第110-111页 |
| 4.2 实验部分 | 第111页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第111-120页 |
| 4.3.1 PFO器件在不同电压下的可控忆阻模式 | 第111-114页 |
| 4.3.2 PFO器件的输运模式 | 第114-116页 |
| 4.3.3 PFO器件中厚度依赖的可控忆阻模式 | 第116-118页 |
| 4.3.4 PFO忆阻器中的整流特征的调控与应用 | 第118-120页 |
| 4.4 本章小结 | 第120-121页 |
| 4.5 参考文献 | 第121-123页 |
| 第五章 具有可控多重抑制功能的氧化石墨烯(GO)人工突触 | 第123-149页 |
| 5.1 引言 | 第123-125页 |
| 5.2 实验部分 | 第125-126页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第126-146页 |
| 5.3.1 氧化石墨烯平面二极管器件的可控忆阻特征 | 第126-131页 |
| 5.3.2 平面二极管器件的耦合调控 | 第131-133页 |
| 5.3.3 氧化石墨烯电子突触的工作原理 | 第133-136页 |
| 5.3.4 幅值依赖的抑制性行为 | 第136-139页 |
| 5.3.5 频率依赖的抑制性行为 | 第139-141页 |
| 5.3.6 弛豫依赖的抑制性行为 | 第141-144页 |
| 5.3.7 可控性多重抑制性功能调控的整体框架 | 第144-146页 |
| 5.4 本章小结 | 第146页 |
| 5.5 引用文献 | 第146-149页 |
| 第六章 液体忆阻器 | 第149-165页 |
| 6.1 引言 | 第149-150页 |
| 6.2 实验部分 | 第150-151页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第151-162页 |
| 6.3.1 PbI_2基离子液体忆阻器忆阻特征的优势 | 第151-155页 |
| 6.3.2 PbI_2基离子液体忆阻器在脉冲模式下的忆阻行为 | 第155-157页 |
| 6.3.3 PbI_2基液体忆阻器中离子浓度对忆阻行为的调控 | 第157-158页 |
| 6.3.4 PbI_2基液体忆阻器中有机胺溶液对忆阻行为的调控 | 第158-160页 |
| 6.3.5 PbI_2基液体忆阻器中第三电极对器件导电特征的调控 | 第160-162页 |
| 6.4 本章小结 | 第162-163页 |
| 6.5 引用文献 | 第163-165页 |
| 第七章 光电神经形态晶体管 | 第165-195页 |
| 7.1 引言 | 第165-167页 |
| 7.2 实验部分 | 第167-168页 |
| 7.3 结果讨论 | 第168-192页 |
| 7.3.1 晶体管器件中的忆阻性转移曲线 | 第168-172页 |
| 7.3.2 晶体管存储器中可灵活操作的变化趋势 | 第172-174页 |
| 7.3.3 光增强的空穴释放(电子存储)过程的微观EFM表征 | 第174-175页 |
| 7.3.4 晶体管存储器忆阻行为的特征方程 | 第175-176页 |
| 7.3.5 光电突触的光学习 | 第176-184页 |
| 7.3.6 神经元与连接突触之间兴奋抑制活动的长时程调整 | 第184-188页 |
| 7.3.7 光电神经元活动的稳态可塑性 | 第188-192页 |
| 7.4 本章小结 | 第192页 |
| 7.5 引用文献 | 第192-195页 |
| 第八章 总结与展望 | 第195-199页 |
| 8.1 论文总结 | 第195-197页 |
| 8.2 论文展望 | 第197-199页 |
| 附录1 攻读博士学位期间撰写的论文 | 第199-201页 |
| 附录2 攻读博士学位期间申请的专利 | 第201页 |
| 附录3 攻读博士学位期间参与的科研项目 | 第201-203页 |
| 致谢 | 第203页 |
