| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 表面电荷转移掺杂的概述 | 第10-12页 |
| 1.2 表面电荷转移掺杂的电学性质的研究与应用 | 第12-22页 |
| 1.2.1 表面电荷转移掺杂对低维半导体器件的电学性质的影响 | 第12-17页 |
| 1.2.2 表面电荷转移掺杂对低维半导体的光学性质的研究与应用 | 第17-22页 |
| 参考文献 | 第22-30页 |
| 第二章 表面电荷转移掺杂对硫化镉纳米带的电学性能的调控 | 第30-56页 |
| 2.1 引言 | 第30-32页 |
| 2.2 实验部分 | 第32-43页 |
| 2.2.1 硫化镉纳米带的合成 | 第32-33页 |
| 2.2.2 CdS纳米带的表征 | 第33-36页 |
| 2.2.3 掺杂剂MoO_3纳米点溶液、benzylviologen (BV)的甲苯溶液的配制 | 第36-39页 |
| 2.2.4 硫化镉FET器件的制备 | 第39-42页 |
| 2.2.5 硫化镉FET器件的测试 | 第42-43页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第43-52页 |
| 2.3.1 MoO_3纳米点的表征 | 第43-44页 |
| 2.3.2 MoO_3纳米点修饰CdS纳米带的表征 | 第44页 |
| 2.3.3 表面电荷转移掺杂MoO_3纳米点对CdS纳米带的电学性质研究 | 第44-48页 |
| 2.3.4 表面电荷转移掺杂BV的甲苯溶液对CdS纳米带的电学性质的研究 | 第48-52页 |
| 2.4 本章小结 | 第52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 第三章 表面电荷转移掺杂对硫化镉纳米带的光学性能的调控 | 第56-79页 |
| 3.1 引言 | 第56-58页 |
| 3.2 实验部分 | 第58-59页 |
| 3.2.1 CdS纳米带的合成 | 第58页 |
| 3.2.2 硫化镉纳米带Raman器件的制备 | 第58-59页 |
| 3.2.3 硫化镉纳米带Raman器件的测试 | 第59页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第59-74页 |
| 3.3.1 CdS纳米带的表征以及器件的表征 | 第59-61页 |
| 3.3.2 表面电荷转移掺杂MoO_3纳米点修饰CdS纳米带的光学Raman研究 | 第61-68页 |
| 3.3.3 表面电荷转移掺杂BV的甲苯溶液对CdS纳米带的光学Raman研究 | 第68-72页 |
| 3.3.4 表面电荷转移掺杂石墨烯量子点对CdS纳米带的光学Raman研究 | 第72-74页 |
| 3.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 第四章 总结与展望 | 第79-81页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
