| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-19页 |
| 1.1 课题背景与研究的目的与意义 | 第7-8页 |
| 1.2 高重频、窄脉宽激光器的研究进展 | 第8-12页 |
| 1.2.1 调Q技术 | 第8-11页 |
| 1.2.2 腔倒空技术 | 第11-12页 |
| 1.3 946nm、1123nm全固态激光器的研究进展 | 第12-14页 |
| 1.4 二维过渡金属硫化物 | 第14-15页 |
| 1.5 电光晶体及其相关技术 | 第15-16页 |
| 1.6 本论文主要研究内容 | 第16-19页 |
| 第二章 MgO:LN晶体横向调制技术 | 第19-27页 |
| 2.1 电光调制 | 第19-21页 |
| 2.1.1 纵向电光强度调制 | 第19-20页 |
| 2.1.2 横向电光强度调制 | 第20-21页 |
| 2.2 电光调制晶体 | 第21-23页 |
| 2.3 MgO:LN横向加压式电光调制 | 第23-25页 |
| 2.3.1 单块双45°-MgO:LN电光调制 | 第23-24页 |
| 2.3.2 MgO:LN腔倒空式电光调制 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 MoSe2可饱和吸收体 | 第27-32页 |
| 3.1 概述 | 第27页 |
| 3.2 制备单层MoSe_2可饱和吸收镜 | 第27-29页 |
| 3.3 单层MoSe_2物理表征 | 第29-31页 |
| 3.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 窄脉冲宽度、高峰值功率的946nm主被动双调Q脉冲激光器研究 | 第32-40页 |
| 4.1 实验装置及操作原理 | 第32-33页 |
| 4.2 谐振腔结构的优化设计 | 第33-35页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第35-39页 |
| 4.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第五章 窄脉冲宽度、高峰值功率1123nm腔倒空全固态脉冲激光器 | 第40-48页 |
| 5.1 实验装置及操作原理 | 第40-42页 |
| 5.2 谐振腔结构的优化设计 | 第42-43页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第43-46页 |
| 5.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第六章 总结与展望 | 第48-50页 |
| 成果 | 第48页 |
| 主要创新点 | 第48-49页 |
| 展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 攻读博士/硕士学位期间取得的科研成果 | 第60-61页 |
