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微纳米尺度下有机/无机忆阻器电荷存储机理研究

摘要第6-9页
Abstract第9-11页
第一章 绪论第12-42页
    1.1 记忆的理解第12-13页
    1.2 传统存储器简介第13-19页
    1.3 新一代存储器-忆阻器第19-24页
        1.3.1 忆阻器量纲推导第19-20页
        1.3.2 忆阻器的发展历程第20-22页
        1.3.3 忆阻器功能层材料第22-24页
    1.4 忆阻效应的机理第24-40页
        1.4.1 离子迁移第24-33页
        1.4.2 电荷缺陷捕获/去捕获第33-37页
        1.4.3 热化学反应第37-39页
        1.4.4 无机物中的一些特殊阻变机理第39页
        1.4.5 有机半导体分子形变第39-40页
    1.5 忆阻器遇到的挑战第40页
    1.6 本文研究内容和意义第40-42页
第二章 三维自组装MoS_2空心微米球忆阻效应机理第42-52页
    2.1 引言第42页
    2.2 三维自组装MoS_2微米球的合成第42-43页
    2.3 Ag/MoS_2/ITO的制备第43-44页
    2.4 Ag/MoS_2/ITO忆阻效应和机理第44-51页
        2.4.1 MoS_2形貌结构表征第44-45页
        2.4.2 Ag/MoS_2/ITO的忆阻特性第45-46页
        2.4.3 Ag/MoS_2/ITO的忆阻机理第46-51页
    2.5 本章小结和创新点第51-52页
第三章 MoSe_2掺杂的单根超长Se微米线忆阻特性机理研究第52-62页
    3.1 引言第52-53页
    3.2 MoSe_2掺杂的超长Se微米线的合成第53-54页
    3.3 MoSe_2掺杂的超长Se微米线的忆阻效应和机理第54-60页
        3.3.1 MoSe_2掺杂的超长Se微米线形貌结构表征第54-55页
        3.3.2 MoSe_2掺杂的超长Se微米线中的忆阻效应第55-58页
        3.3.3 MoSe_2掺杂的超长Se微米线忆阻机理分析第58-60页
    3.4 本章小结和创新点第60-62页
第四章 湿度对TiO_x薄膜负微分电阻与忆阻室温共存调节第62-80页
    4.1 引言第62-64页
    4.2 Ag|TiO_x|FTO的制备与测量第64-65页
    4.3 Ag|TiO_x|FTO在不同湿度下的忆阻效应第65-67页
    4.4 活性层TiO_x的形貌机构和化学成分表征第67-69页
    4.5 NDR和RS室温共存的机理第69-78页
    4.6 本章小结和创新点第78-80页
第五章 H_2O_2改性蛋清溶液制备的透明柔性器件的忆阻机理第80-96页
    5.1 引言第80-81页
    5.2 H_2O_2改性蛋清制备透明、柔性忆阻器第81页
    5.3 H_2O_2改性蛋清蛋白的表征第81-83页
    5.4 H_2O_2改性蛋清蛋白的忆阻特性第83-89页
    5.5 H_2O_2改性蛋清蛋白的忆阻机理第89-95页
        5.5.1 H_2O_2对蛋清蛋白改性过程第89-91页
        5.5.2 改性蛋清蛋白器件的忆阻机理第91-95页
    5.6 本章小结和创新点第95-96页
第六章 结论和展望第96-98页
参考文献第98-116页
博士期间发表论文第116-118页
博士毕业致谢词第118-120页

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