| 摘要 | 第6-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-42页 |
| 1.1 记忆的理解 | 第12-13页 |
| 1.2 传统存储器简介 | 第13-19页 |
| 1.3 新一代存储器-忆阻器 | 第19-24页 |
| 1.3.1 忆阻器量纲推导 | 第19-20页 |
| 1.3.2 忆阻器的发展历程 | 第20-22页 |
| 1.3.3 忆阻器功能层材料 | 第22-24页 |
| 1.4 忆阻效应的机理 | 第24-40页 |
| 1.4.1 离子迁移 | 第24-33页 |
| 1.4.2 电荷缺陷捕获/去捕获 | 第33-37页 |
| 1.4.3 热化学反应 | 第37-39页 |
| 1.4.4 无机物中的一些特殊阻变机理 | 第39页 |
| 1.4.5 有机半导体分子形变 | 第39-40页 |
| 1.5 忆阻器遇到的挑战 | 第40页 |
| 1.6 本文研究内容和意义 | 第40-42页 |
| 第二章 三维自组装MoS_2空心微米球忆阻效应机理 | 第42-52页 |
| 2.1 引言 | 第42页 |
| 2.2 三维自组装MoS_2微米球的合成 | 第42-43页 |
| 2.3 Ag/MoS_2/ITO的制备 | 第43-44页 |
| 2.4 Ag/MoS_2/ITO忆阻效应和机理 | 第44-51页 |
| 2.4.1 MoS_2形貌结构表征 | 第44-45页 |
| 2.4.2 Ag/MoS_2/ITO的忆阻特性 | 第45-46页 |
| 2.4.3 Ag/MoS_2/ITO的忆阻机理 | 第46-51页 |
| 2.5 本章小结和创新点 | 第51-52页 |
| 第三章 MoSe_2掺杂的单根超长Se微米线忆阻特性机理研究 | 第52-62页 |
| 3.1 引言 | 第52-53页 |
| 3.2 MoSe_2掺杂的超长Se微米线的合成 | 第53-54页 |
| 3.3 MoSe_2掺杂的超长Se微米线的忆阻效应和机理 | 第54-60页 |
| 3.3.1 MoSe_2掺杂的超长Se微米线形貌结构表征 | 第54-55页 |
| 3.3.2 MoSe_2掺杂的超长Se微米线中的忆阻效应 | 第55-58页 |
| 3.3.3 MoSe_2掺杂的超长Se微米线忆阻机理分析 | 第58-60页 |
| 3.4 本章小结和创新点 | 第60-62页 |
| 第四章 湿度对TiO_x薄膜负微分电阻与忆阻室温共存调节 | 第62-80页 |
| 4.1 引言 | 第62-64页 |
| 4.2 Ag|TiO_x|FTO的制备与测量 | 第64-65页 |
| 4.3 Ag|TiO_x|FTO在不同湿度下的忆阻效应 | 第65-67页 |
| 4.4 活性层TiO_x的形貌机构和化学成分表征 | 第67-69页 |
| 4.5 NDR和RS室温共存的机理 | 第69-78页 |
| 4.6 本章小结和创新点 | 第78-80页 |
| 第五章 H_2O_2改性蛋清溶液制备的透明柔性器件的忆阻机理 | 第80-96页 |
| 5.1 引言 | 第80-81页 |
| 5.2 H_2O_2改性蛋清制备透明、柔性忆阻器 | 第81页 |
| 5.3 H_2O_2改性蛋清蛋白的表征 | 第81-83页 |
| 5.4 H_2O_2改性蛋清蛋白的忆阻特性 | 第83-89页 |
| 5.5 H_2O_2改性蛋清蛋白的忆阻机理 | 第89-95页 |
| 5.5.1 H_2O_2对蛋清蛋白改性过程 | 第89-91页 |
| 5.5.2 改性蛋清蛋白器件的忆阻机理 | 第91-95页 |
| 5.6 本章小结和创新点 | 第95-96页 |
| 第六章 结论和展望 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-116页 |
| 博士期间发表论文 | 第116-118页 |
| 博士毕业致谢词 | 第118-120页 |
