| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-23页 |
| 1.1 铁电薄膜及其器件 | 第8-15页 |
| 1.1.1 铁电薄膜材料 | 第8-9页 |
| 1.1.2 铁电场效应晶体管 | 第9-11页 |
| 1.1.3 MFIS结构电容器 | 第11-15页 |
| 1.2 空间技术与空间辐射 | 第15-18页 |
| 1.2.1 空间技术 | 第15-16页 |
| 1.2.2 空间辐射环境 | 第16-18页 |
| 1.3 铁电薄膜及其器件的辐射损伤效应 | 第18-20页 |
| 1.3.1 辐射损伤效应 | 第18-19页 |
| 1.3.2 铁电薄膜及其器件的辐射研究现状 | 第19-20页 |
| 1.4 本文选题依据和研究内容 | 第20-23页 |
| 1.4.1 选题依据 | 第20-21页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 实验方法 | 第23-29页 |
| 2.1 实验原料 | 第23页 |
| 2.2 实验仪器 | 第23-24页 |
| 2.3 中子辐射实验方法 | 第24-26页 |
| 2.3.1 中子与中子源 | 第24-25页 |
| 2.3.2 中子与铁电薄膜的相互作用 | 第25页 |
| 2.3.3 辐射实验方法 | 第25-26页 |
| 2.4 性能表征方法 | 第26-28页 |
| 2.4.1 微观结构表征 | 第26-27页 |
| 2.4.2 电学性能表征 | 第27-28页 |
| 2.5 小结 | 第28-29页 |
| 第3章 MFIS结构电容器的制备与性能表征 | 第29-41页 |
| 3.1 溶胶-凝胶法制备MFIS结构电容器 | 第29-34页 |
| 3.1.1 基片处理 | 第29-30页 |
| 3.1.2 绝缘层薄膜制备 | 第30-32页 |
| 3.1.3 铁电薄膜的制备 | 第32-33页 |
| 3.1.4 镀电极 | 第33-34页 |
| 3.2 性能表征与分析 | 第34-40页 |
| 3.2.1 STO薄膜的性能分析 | 第34-36页 |
| 3.2.2 Pt/BNT/STO/Si结构电容器的性能分析 | 第36-40页 |
| 3.3 小结 | 第40-41页 |
| 第4章 MFIS结构电容器的中子辐射效应 | 第41-50页 |
| 4.1 中子辐射实验 | 第41-42页 |
| 4.2 中子辐射效应分析 | 第42-49页 |
| 4.2.1 不同注量下BNT的中子辐射效应 | 第42-44页 |
| 4.2.2 不同注量条件下Pt/BNT/STO/Si的中子辐射效应 | 第44-49页 |
| 4.3 小结 | 第49-50页 |
| 第5章 总结与展望 | 第50-51页 |
| 5.1 工作总结 | 第50页 |
| 5.2 工作展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第57页 |