| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-41页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 低维材料介绍 | 第12-19页 |
| 1.2.1 一维ZnO纳米线 | 第12-14页 |
| 1.2.2 二维层状材料 | 第14-19页 |
| 1.3 低维体系的输运性质 | 第19-26页 |
| 1.3.1 弱局域化效应 | 第19-21页 |
| 1.3.2 反弱局域化效应 | 第21-22页 |
| 1.3.3 普适电导涨落 | 第22-23页 |
| 1.3.4 AB和AAS量子振荡 | 第23-25页 |
| 1.3.5 Shubnikov-de Haas振荡 | 第25-26页 |
| 1.4 二维异质结构的光电特性 | 第26-32页 |
| 1.4.1 二维异质结构的光学特性 | 第26-28页 |
| 1.4.2 二维异质结构的电学特性 | 第28-30页 |
| 1.4.3 二维异质结构的光电特性 | 第30-32页 |
| 1.5 本论文的研究内容 | 第32-35页 |
| 参考文献 | 第35-41页 |
| 第2章 界面Al掺杂ZnO纳米线中电子的相位相干输运行为及调控 | 第41-67页 |
| 2.1 引言 | 第41-43页 |
| 2.2 样品制备及表征 | 第43-47页 |
| 2.2.1 界面铝掺杂和界面本征掺杂的氧化锌纳米线的制备 | 第43页 |
| 2.2.2 纳米线的表征及测量仪器 | 第43-44页 |
| 2.2.3 纳米线的形貌 | 第44-45页 |
| 2.2.4 纳米线的结构和成分表征 | 第45-46页 |
| 2.2.5 纳米线器件形貌及参数 | 第46-47页 |
| 2.3 纳米线输运性质的测量和分析 | 第47-60页 |
| 2.3.1 界面本征掺杂和界面铝掺杂ZnO纳米线变温输运 | 第47-52页 |
| 2.3.2 样品磁输运的测量与分析 | 第52-60页 |
| 2.3.2.1 弱局域化效应(WL) | 第52-54页 |
| 2.3.2.2 普适电导涨落(UCF) | 第54-58页 |
| 2.3.2.3 Al'tshuler-Aronov-Spivak ( AAS)量子振荡 | 第58-60页 |
| 2.4 样品中电子的退相干机制 | 第60-62页 |
| 2.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 第3章 黑磷-硒化铟异质结的光电特性 | 第67-97页 |
| 3.1 引言 | 第67-71页 |
| 3.2 InSe的制备及扫描光电流谱 | 第71-77页 |
| 3.2.1 InSe晶体和器件的制备 | 第71页 |
| 3.2.2 样品的表征 | 第71-73页 |
| 3.2.3 InSe的扫描光电流谱 | 第73-77页 |
| 3.3 黑磷/InSe垂直p-n结的高偏振敏感和快速的光响应 | 第77-90页 |
| 3.3.1 样品和器件的制备及表征 | 第77-79页 |
| 3.3.2 异质结的整流特性 | 第79-80页 |
| 3.3.3 异质结的偏振依赖光响应 | 第80-84页 |
| 3.3.4 异质结的宽谱、快速和高效的光响应特性 | 第84-87页 |
| 3.3.5 栅压可调控的异质结光电响应特性 | 第87-89页 |
| 3.3.6 异质结的光伏特性 | 第89-90页 |
| 3.4 BP/InSe异质p-n结中的隧穿机制 | 第90-92页 |
| 3.5 本章小结 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-97页 |
| 第4章 (Bi_(1-x)Sb_x)_2Te_3薄片的制备及Bi_2Te_3的输运特性 | 第97-131页 |
| 4.1 引言 | 第97-102页 |
| 4.2 Bi_2Te_3和(Bi_(1-x)Sb_x)_2Te_3二维薄片的可控制备及表征 | 第102-111页 |
| 4.2.1 氟晶云母上外延生长Bi_2Te_3二维薄片及表征 | 第102-104页 |
| 4.2.2 SiO_2为衬底外延生长Bi_2Te_3二维薄片及表征 | 第104-109页 |
| 4.2.3 二维层状材料为衬底外延生长Bi_2Te_3二维薄片 | 第109-111页 |
| 4.3 Sb掺杂的(Bi_(1-x)Sb_x)_2Te_3二维薄片的制备及表征 | 第111-119页 |
| 4.3.1 (Bi_(1-x)Sb_x)_2Te_3二维薄片的制备及表征 | 第111-116页 |
| 4.3.2 (Bi_xSb_(1-x))_2Te_3/Sb_2Te_3异质结的制备及表征 | 第116-119页 |
| 4.4 半导体性Bi_2Te_3薄片的相位相干输运特性 | 第119-124页 |
| 4.4.1 样品和器件的制备 | 第119页 |
| 4.4.2 Bi_2Te_3薄片的相位相干输运特性 | 第119-124页 |
| 4.5 本章小结 | 第124-125页 |
| 参考文献 | 第125-131页 |
| 第5章 展望 | 第131-133页 |
| 致谢 | 第133-135页 |
| 攻读博士期间发表论文情况 | 第135页 |
