| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 前言 | 第9-10页 |
| 1.2 纳米材料概述 | 第10-13页 |
| 1.2.1 纳米材料分类 | 第10页 |
| 1.2.2 纳米材料特征 | 第10-12页 |
| 1.2.3 纳米材料的研究近况和发展趋势 | 第12-13页 |
| 1.3 稀土纳米材料概述 | 第13-16页 |
| 1.3.1 稀土纳米材料的应用 | 第13-16页 |
| 1.3.1.1 稀土纳米薄膜材料 | 第14页 |
| 1.3.1.2 稀土纳米光学材料 | 第14-15页 |
| 1.3.1.3 稀土纳米催化材料 | 第15-16页 |
| 1.3.1.4 稀土纳米生物医药材料 | 第16页 |
| 1.3.1.5 稀土纳米陶瓷材料 | 第16页 |
| 1.4 稀土纳米材料制备方法 | 第16-18页 |
| 1.4.1 水热法 | 第17页 |
| 1.4.2 溶胶-凝胶法 | 第17页 |
| 1.4.3 化学气相沉积法 | 第17-18页 |
| 1.4.4 静电纺丝法 | 第18页 |
| 1.4.5 模板法 | 第18页 |
| 1.5 选题背景及研究内容 | 第18-21页 |
| 1.5.1 选题背景 | 第18-19页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 模板法可控制备LaM_xO_y纳米线阵列及荧光性能 | 第21-37页 |
| 2.1 引言 | 第21-23页 |
| 2.2 实验部分 | 第23-26页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第23页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第23-24页 |
| 2.2.3 LaM_xO_y纳米线阵列的可控制备 | 第24页 |
| 2.2.4 LaM_xO_y纳米线阵列的表征 | 第24-26页 |
| 2.2.4.1 SEM和EDS分析 | 第24-25页 |
| 2.2.4.2 TEM和SAED分析 | 第25页 |
| 2.2.4.3 XRD结构分析 | 第25-26页 |
| 2.2.4.4 PL性能分析 | 第26页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第26-36页 |
| 2.3.1 LaM_xO_y纳米线结构的生长机理 | 第26-28页 |
| 2.3.2 LaM_xO_y纳米线阵列SEM和TEM分析 | 第28-31页 |
| 2.3.2.1 LaTb_xO_y纳米线阵列SEM和TEM分析 | 第28-29页 |
| 2.3.2.2 LaNi_xO_y纳米线阵列SEM和TEM分析 | 第29-30页 |
| 2.3.2.3 LaEu_xO_y纳米线阵列SEM和TEM分析 | 第30-31页 |
| 2.3.3 LaM_xO_y纳米线阵列的XRD分析 | 第31-33页 |
| 2.3.4 LaM_xO_y纳米线阵列的EDS分析 | 第33-35页 |
| 2.3.5 LaM_xO_y纳米线阵列的PL性能分析 | 第35-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 LaTb_xO_y:Eu~(3+)米线阵列的可控制备及荧光性能 | 第37-49页 |
| 3.1 引言 | 第37-38页 |
| 3.2 实验部分 | 第38-40页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第38页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第38-39页 |
| 3.2.3 LaTb_xO_y:Eu~(3+)纳米线阵列的制备 | 第39页 |
| 3.2.4 LaTb_xO_y:Eu~(3+)纳米线阵列的表征 | 第39-40页 |
| 3.2.4.1 SEM和EDS分析 | 第39页 |
| 3.2.4.2 TEM和SAED分析 | 第39-40页 |
| 3.2.4.3 XRD结构分析 | 第40页 |
| 3.2.4.4 PL性能分析 | 第40页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第40-48页 |
| 3.3.1 LaTb_xO_y:Eu~(3+)纳米线阵列可控制备的影响因素 | 第40-44页 |
| 3.3.1.1 负压大小的影响 | 第40-42页 |
| 3.3.1.2 盐溶液浓度大小的影响 | 第42-43页 |
| 3.3.1.3 热处理温度的影响 | 第43-44页 |
| 3.3.1.4 其他因素的影响 | 第44页 |
| 3.3.2 LaTb_xO_y:Eu~(3+)纳米线阵列SEM和TEM分析 | 第44-45页 |
| 3.3.3 LaTb_xO_y:Eu~(3+)纳米线阵列XRD分析 | 第45-46页 |
| 3.3.4 LaTb_xO_y:Eu~(3+)纳米线阵列EDS分析 | 第46-47页 |
| 3.3.5 LaTb_xO_y:Eu~(3+)纳米线阵列PL性能分析 | 第47-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 LaNi_xO_y:Eu~(3+)纳米线阵列的可控制备及荧光性能 | 第49-59页 |
| 4.1 引言 | 第49-50页 |
| 4.2 实验部分 | 第50-52页 |
| 4.2.1 实验试剂 | 第50-51页 |
| 4.2.2 实验仪器 | 第51页 |
| 4.2.3 LaNi_xO_y:Eu~(3+)纳米线阵列的制备 | 第51-52页 |
| 4.2.4 LaNi_xO_y:Eu~(3+)纳米线阵列的表征 | 第52页 |
| 4.2.4.1 SEM和EDS分析 | 第52页 |
| 4.2.4.2 TEM和SAED分析 | 第52页 |
| 4.2.4.3 XRD分析 | 第52页 |
| 4.2.4.4 PL性能分析 | 第52页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第52-58页 |
| 4.3.1 纳米线阵列测试样的制备 | 第52-54页 |
| 4.3.2 LaNi_xO_y:Eu~(3+)纳米线阵列SEM和TEM分析 | 第54-55页 |
| 4.3.3 LaNi_xO_y:Eu~(3+)纳米线阵列XRD分析 | 第55-56页 |
| 4.3.4 LaNi_xO_y:Eu~(3+)纳米线阵列EDS分析 | 第56-57页 |
| 4.3.5 LaNi_xO_y:Eu~(3+)纳米线阵列PL性能分析 | 第57-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 全文总结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第80页 |
