光内送粉多道搭接多层堆积实体成形及温度场模拟研究
| 中文摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 激光熔覆成形技术简介 | 第11-13页 |
| 1.2.1 LCRM 技术原理 | 第11页 |
| 1.2.2 LCRM 技术特点 | 第11-12页 |
| 1.2.3 LCRM 关键技术 | 第12-13页 |
| 1.3 送粉式多道搭接多层堆积熔覆成形研究现状 | 第13-18页 |
| 1.3.1 激光熔覆实体成形研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3.2 光内同轴送粉熔覆成形 | 第16-18页 |
| 1.4 研究意义及研究内容 | 第18-19页 |
| 1.4.1 研究意义 | 第18页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 光内送粉成形系统及光粉耦合特征 | 第19-29页 |
| 2.1 光内同轴送粉激光熔覆成形系统组成 | 第19-24页 |
| 2.2 光内同轴送粉光粉气耦合特征 | 第24-28页 |
| 2.2.1 激光熔覆送粉方式比较 | 第24-25页 |
| 2.2.2 光内送粉光粉耦合特征 | 第25-26页 |
| 2.2.3 中空激光光斑能量分布 | 第26-28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 光内送粉二维平面多道搭接工艺研究 | 第29-44页 |
| 3.1 前言 | 第29页 |
| 3.2 单道尺寸特性与临界搭接率的关系 | 第29-33页 |
| 3.2.1 搭接率对熔覆成形表面的影响 | 第29-30页 |
| 3.2.2 临界搭接率与单道尺寸特性的关系 | 第30-33页 |
| 3.3 工艺参数对多道搭接表面平整度的影响 | 第33-40页 |
| 3.3.1 实验材料 | 第33-34页 |
| 3.3.2 激光功率对表面平整度的影响 | 第34-36页 |
| 3.3.3 扫描速度对表面平整度的影响 | 第36-38页 |
| 3.3.4 送粉速率对表面平整度的影响 | 第38-40页 |
| 3.4 多道搭接熔覆层微观组织与显微硬度 | 第40-43页 |
| 3.4.1 多道搭接熔覆层显微组织 | 第40-42页 |
| 3.4.2 多道搭接熔覆层显微硬度分析 | 第42-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 中空激光送粉熔覆多道搭接温度场有限元模拟 | 第44-64页 |
| 4.1 前言 | 第44页 |
| 4.2 有限元模型的建立 | 第44-48页 |
| 4.2.1 物理模型与网格划分 | 第45-46页 |
| 4.2.2 单元类型选择与材料物性参数 | 第46页 |
| 4.2.3 边界条件确定 | 第46-48页 |
| 4.3 温度场求解模型 | 第48-49页 |
| 4.3.1 热载荷数学模型 | 第48页 |
| 4.3.2 循环加载热载荷 | 第48-49页 |
| 4.4 单层多道搭接计算结果分析 | 第49-59页 |
| 4.4.1 温度场分布 | 第49-51页 |
| 4.4.2 熔覆层表面取样节点温度—时间历程分析 | 第51-56页 |
| 4.4.3 温度梯度分析 | 第56-58页 |
| 4.4.4 温度变化速率分析 | 第58-59页 |
| 4.5 多层多道搭接温度场模拟结果分析 | 第59-62页 |
| 4.6 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 实体零件成形工艺研究及性能分析 | 第64-81页 |
| 5.1 前言 | 第64页 |
| 5.2 实验方案 | 第64-69页 |
| 5.2.1 实体模型及扫描路径的确定 | 第64-67页 |
| 5.2.2 基础工艺参数设定 | 第67-68页 |
| 5.2.3 Z 轴提升量的确定 | 第68-69页 |
| 5.3 三维实体成形 | 第69-73页 |
| 5.3.1 功率控制 | 第69-71页 |
| 5.3.2 层高控制 | 第71-73页 |
| 5.4 成形实体精度及性能分析 | 第73-80页 |
| 5.4.1 成形实体尺寸精度 | 第73-74页 |
| 5.4.2 成形实体表面平整度分析 | 第74-78页 |
| 5.4.3 成形实体微观显微组织分析 | 第78-79页 |
| 5.4.4 成形实体显微硬度分析 | 第79-80页 |
| 5.5 本章小结 | 第80-81页 |
| 第六章 结论与展望 | 第81-83页 |
| 6.1 结论 | 第81-82页 |
| 6.2 展望 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-89页 |
| 攻读学位期间出版或公开发表的论著、论文 | 第89-90页 |
| 附录 | 第90-96页 |
| 致谢 | 第96-97页 |
