| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 气敏传感器 | 第9-15页 |
| 1.2.1 气敏传感器的分类 | 第10-12页 |
| 1.2.2 气敏传感器的发展 | 第12-15页 |
| 1.3 本文的研究意义及目的 | 第15-16页 |
| 1.4 本文的主要研究内容和创新点 | 第16-18页 |
| 第二章 WO_3准一维纳米器件的构筑及测试平台的搭建 | 第18-28页 |
| 2.1 WO_3的结构与性质 | 第18-19页 |
| 2.2 WO_3一维纳米结构的制备 | 第19-20页 |
| 2.3 WO_3形貌和结构的表征 | 第20-24页 |
| 2.3.1 WO_3纳米线的XRD分析 | 第21-22页 |
| 2.3.2 WO_3纳米线的SEM分析及能谱分析 | 第22-24页 |
| 2.4 纳米器件的构筑 | 第24-26页 |
| 2.5 气敏测试平台的搭建 | 第26-28页 |
| 第三章 H2S对单根W03纳米线器件气敏性能的影响 | 第28-38页 |
| 3.1 背景 | 第28-29页 |
| 3.2 WO_3的气敏机理 | 第29页 |
| 3.3 H_2S对欧姆接触WO_3器件气敏性能的影响 | 第29-36页 |
| 3.4 H_2S对双肖特基接触WO_3器件气敏性能的影响 | 第36-37页 |
| 3.5 小结 | 第37-38页 |
| 第四章 H_2S对WO_3器件记忆效应的影响 | 第38-42页 |
| 4.1 背景 | 第38页 |
| 4.2 H_2S对WO_3器件记忆效应的影响 | 第38-41页 |
| 4.3 小结 | 第41-42页 |
| 第五章 总结与展望 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-52页 |
| 附录：攻读硕士学位期间论文发表情况 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-56页 |
