| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 论文的研究背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 MMIC 国内外发展现状 | 第10-15页 |
| 1.2.1 MMIC 的发展 | 第10-12页 |
| 1.2.2 MMIC 研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.3 GaAs MMIC 的发展 | 第13-15页 |
| 1.2.4 基于薄膜工艺的 MMIC 研究 | 第15页 |
| 1.3 MMIC 的优缺点 | 第15-16页 |
| 1.4 论文的主要研究工作 | 第16-17页 |
| 2 衰减器工作原理 | 第17-30页 |
| 2.1 衰减器的性能指标及其作用 | 第17-19页 |
| 2.1.1 衰减器的性能指标 | 第17-18页 |
| 2.1.2 衰减器的作用 | 第18-19页 |
| 2.2 衰减器的基本拓扑结构 | 第19-26页 |
| 2.2.1 T 型衰减器 | 第19-21页 |
| 2.2.2 π型衰减器 | 第21-23页 |
| 2.2.3 桥 T 型衰减器 | 第23-26页 |
| 2.3 数控衰减器 | 第26-30页 |
| 2.3.1 数控衰减器的工作原理 | 第26-28页 |
| 2.3.2 小衰减量衰减位 | 第28页 |
| 2.3.3 大衰减量衰减位 | 第28-30页 |
| 3 材料选择及其工艺分析 | 第30-39页 |
| 3.1 电阻材料的选择 | 第30-32页 |
| 3.2 薄膜工艺中衬底基片的选择 | 第32-35页 |
| 3.2.1 氧化铝基片 | 第32页 |
| 3.2.2 氧化铍基片 | 第32-35页 |
| 3.3 工艺介绍 | 第35-39页 |
| 3.3.1 光刻 | 第36-37页 |
| 3.3.2 电阻工艺 | 第37页 |
| 3.3.3 芯片钝化 | 第37-39页 |
| 4 MMIC 固定衰减器的设计与仿真 | 第39-51页 |
| 4.1 仿真环境 | 第39页 |
| 4.2 阻抗匹配设计 | 第39-41页 |
| 4.2.1 π型电路的阻抗匹配 | 第40页 |
| 4.2.2 T 型电路的阻抗匹配 | 第40-41页 |
| 4.2.3 各项参数的设置 | 第41页 |
| 4.3 基于薄膜工艺的 MMIC 固定衰减器的设计与仿真 | 第41-47页 |
| 4.3.1 基于薄膜工艺的π型衰减器 | 第42-46页 |
| 4.3.2 基于薄膜工艺的 T 型衰减器 | 第46-47页 |
| 4.4 基于砷化镓工艺的固定衰减器的仿真设计 | 第47-50页 |
| 4.5 仿真结果的分析与讨论 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第56页 |