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RF LDMOS器件的栅极ESD保护设计与研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 引言第10-16页
    1.1 论文的研究背景和意义第10-11页
    1.2 国内外的研究现状和发展趋势第11-14页
    1.3 本文的主要工作第14-16页
第二章 ESD保护的基本原理第16-34页
    2.1 ESD的产生与保护第16-18页
    2.2 ESD的基本模型第18-21页
    2.3 ESD测试第21-25页
        2.3.1 ESD测试的组合方式第22-23页
        2.3.2 TLP(Transmission-Line-Plusing)测试系统简介第23-25页
    2.4 常用的ESD保护器件第25-33页
    2.5 本章小结第33-34页
第三章 RF LDMOS栅极ESD保护器件设计第34-62页
    3.1 RF ESD设计的难点第34-36页
    3.2 RF LDMOS的工艺流程介绍第36-40页
    3.3 RF LDMOS栅极ESD保护器件的选择第40-43页
    3.4 RF LDMOS栅极ESD保护器件的分析与仿真设计第43-58页
        3.4.1 polydiode的分析与仿真设计第43-48页
            3.4.1.1 二极管寄生参数的分析第44-45页
            3.4.1.2 polydiode的工艺仿真第45-48页
        3.4.2 BJT的分析与仿真设计第48-52页
            3.4.2.1 BJT寄生参数的分析第48-50页
            3.4.2.2 BJT的工艺仿真第50-52页
        3.4.3 NMOS的分析与仿真设计第52-55页
        3.4.4 SCR的分析与仿真设计第55-58页
    3.5 RF LDMOS栅极ESD保护的电路设计第58-60页
        3.5.1 RLC谐振电路的介绍第58-59页
        3.5.2 LC谐振电路在RF ESD保护中的应用第59-60页
    3.6 本章小结第60-62页
第四章 版图设计与测试结果分析第62-72页
    4.1 RF LDMOS栅极ESD保护器件版图设计及优化第62-67页
        4.1.1 ESD保护器件版图设计第62-64页
        4.1.2 ESD保护器件的版图优化第64-67页
    4.2 TLP测试结果分析第67-70页
        4.2.1 polydiode的TLP测试结果第67-68页
        4.2.2 级联NMOS的TLP测试结果第68-69页
        4.2.3 NPN的TLP测试结果第69-70页
    4.3 本章小结第70-72页
第五章 结论第72-74页
致谢第74-75页
参考文献第75-78页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第78-79页

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