| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 课题研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.1.1 研究目的 | 第10页 |
| 1.1.2 研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 SiC薄膜的制备方法 | 第11-17页 |
| 1.2.1 物理气相沉积 | 第11-15页 |
| 1.2.2 化学气相沉积 | 第15-17页 |
| 1.3 SiC压阻特性应用 | 第17-20页 |
| 1.4 论文主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 SiC薄膜制备与微结构特性分析 | 第22-42页 |
| 2.1 磁控溅射法 | 第22-24页 |
| 2.2 Si基SiC薄膜特性 | 第24-29页 |
| 2.2.1 Si基SiC薄膜制备条件 | 第24-25页 |
| 2.2.2 XRD分析 | 第25-27页 |
| 2.2.3 SEM分析 | 第27-29页 |
| 2.3 SiO_2/Si基SiC薄膜特性 | 第29-35页 |
| 2.3.1 SiO_2/Si基SiC薄膜制备 | 第29-30页 |
| 2.3.2 XRD分析 | 第30-33页 |
| 2.3.3 SEM分析 | 第33-35页 |
| 2.4 光学带隙分析 | 第35-37页 |
| 2.5 I-V特性分析 | 第37-41页 |
| 2.5.1 SiC薄膜电阻条制作 | 第37-38页 |
| 2.5.2 Si基SiC薄膜电阻的I-V特性 | 第38页 |
| 2.5.3 SiO_2/Si基SiC薄膜电阻的I-V特性 | 第38-41页 |
| 2.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 第3章 SiC薄膜压阻特性测试结构和原理 | 第42-47页 |
| 3.1 SiC薄膜压阻特性测试结构 | 第42-43页 |
| 3.2 SiC薄膜压阻特性测试原理 | 第43-46页 |
| 3.2.1 压阻效应 | 第43-44页 |
| 3.2.2 悬臂梁结构弹性元件力学分析 | 第44-45页 |
| 3.2.3 测试原理 | 第45-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 SiC薄膜压阻特性测试结构设计与制作 | 第47-54页 |
| 4.1 SiC薄膜压阻特性测试结构 | 第47-48页 |
| 4.1.1 SiC薄膜压阻特性测试结构设计 | 第47页 |
| 4.1.2 SiC薄膜压阻特性测试结构版图设计 | 第47-48页 |
| 4.2 SiC薄膜压阻特性测试结构制作 | 第48-53页 |
| 4.2.1 SiC薄膜压阻特性测试结构制作工艺 | 第48-52页 |
| 4.2.2 SiC薄膜压阻特性测试结构封装工艺 | 第52-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 实验结果和讨论 | 第54-61页 |
| 5.1 测试装置 | 第54-55页 |
| 5.1.1 SiC薄膜温度特性测试系统 | 第54页 |
| 5.1.2 SiC薄膜压阻特性测试系统 | 第54-55页 |
| 5.2 SiC薄膜电阻特性 | 第55-59页 |
| 5.2.1 退火温度对SiC薄膜电阻导电特性影响 | 第55-57页 |
| 5.2.2 SiC薄膜电阻温度特性 | 第57-59页 |
| 5.3 SiC薄膜电阻压阻特性 | 第59-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读学位期间发表专利 | 第71页 |
| 攻读学位期间参加科研项目 | 第71页 |