| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第13-31页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第13-14页 |
| 1.2 国内外研究现状及发展动态 | 第14-28页 |
| 1.2.1 二维纳米材料可饱和吸收特性简介 | 第14-16页 |
| 1.2.2 二维纳米材料的制备方法 | 第16-19页 |
| 1.2.3 二维材料集成到光纤激光器中的方法 | 第19-20页 |
| 1.2.4 二维材料可饱和吸收体的非线性吸收特性 | 第20-24页 |
| 1.2.5 基于拓扑绝缘体的脉冲光纤激光器 | 第24-26页 |
| 1.2.6 基于过渡金属硫化物的脉冲光纤激光器 | 第26-28页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 | 第28-31页 |
| 第2章 被动锁模光纤激光器腔内脉冲动力学理论模拟 | 第31-47页 |
| 2.1 被动锁模光纤激光器腔内脉冲动力学方程 | 第31-33页 |
| 2.1.1 金兹堡朗道标量方程 | 第31-32页 |
| 2.1.2 可饱和吸收体的数学模型 | 第32-33页 |
| 2.2 可饱和吸收体被动锁模光纤激光器的数值模拟 | 第33-45页 |
| 2.2.1 用于光纤激光器锁模的二维材料可饱和吸收体参数 | 第34页 |
| 2.2.2 可饱和吸收体参数对常规孤子形成的影响 | 第34-37页 |
| 2.2.3 可饱和吸收体参数对耗散孤子形成的影响 | 第37-39页 |
| 2.2.4 高能量窄脉宽的耗散孤子脉冲的形成 | 第39-42页 |
| 2.2.5 低调制深度下的多脉冲现象 | 第42-45页 |
| 2.3 本章小结 | 第45-47页 |
| 第3章 基于拓扑绝缘体硒化铋的脉冲光纤激光器实验 | 第47-71页 |
| 3.1 拓扑绝缘体硒化铋可饱和吸收体 | 第47-51页 |
| 3.1.1 拓扑绝缘体硒化铋的结构 | 第47-48页 |
| 3.1.2 拓扑绝缘体硒化铋的制备和表征 | 第48-50页 |
| 3.1.3 拓扑绝缘体硒化铋聚合物薄膜型可饱和吸收元件 | 第50-51页 |
| 3.2 L-波段拓扑绝缘体硒化铋锁模的常规孤子激光器 | 第51-56页 |
| 3.3 拓扑绝缘体硒化铋 1μm波段锁模的耗散孤子激光器 | 第56-63页 |
| 3.4 拓扑绝缘体硒化铋锁模的双波长绑定脉冲激光器实验 | 第63-69页 |
| 3.5 本章小结 | 第69-71页 |
| 第4章 基于过渡金属硫化物的脉冲光纤激光器实验 | 第71-95页 |
| 4.1 过渡金属硫化物纳米材料的制备 | 第71-74页 |
| 4.1.1 过渡金属硫化物介绍 | 第71-72页 |
| 4.1.2 过渡金属硫化物纳米材料的制备 | 第72-74页 |
| 4.2 基于二硫化钨的纳秒调Q光纤激光器 | 第74-78页 |
| 4.2.1 二硫化钨高分子聚合物薄膜 | 第74-75页 |
| 4.2.2 基于二硫化钨的纳秒调Q光纤激光器 | 第75-78页 |
| 4.3 基于二硫化钨锁模的展宽-压缩型脉冲光纤激光器 | 第78-87页 |
| 4.3.1 光吸附制作的二硫化钨可饱和吸收元件 | 第78-80页 |
| 4.3.2 基于二硫化钨可饱和吸收体的激光腔的模拟及优化 | 第80-85页 |
| 4.3.3 基于二硫化钨锁模的光纤激光器实验结果 | 第85-87页 |
| 4.4 二硫化钨和非线性偏振旋转联合锁模的耗散孤子光纤激光器 | 第87-91页 |
| 4.5 基于二硫化钼的常规孤子锁模光纤激光器 | 第91-94页 |
| 4.6 本章小结 | 第94-95页 |
| 第5章 高能量纳秒脉冲锁模光纤激光器实验 | 第95-119页 |
| 5.1 基于拓扑绝缘体硒化铋的长腔锁模激光器 | 第95-97页 |
| 5.2 非线性偏振旋转锁模激光器中的光纤双折射特性 | 第97-102页 |
| 5.2.1 双折射滤波效应 | 第98-100页 |
| 5.2.2 腔内偏振态的转换 | 第100-101页 |
| 5.2.3 峰值功率钳制效应 | 第101-102页 |
| 5.3 高能量窄带类噪声脉冲光纤激光器 | 第102-108页 |
| 5.4 稳定的纳秒双脉冲光纤激光器 | 第108-113页 |
| 5.5 高能量方波类噪声脉冲光纤激光器 | 第113-117页 |
| 5.6 本章小结 | 第117-119页 |
| 结论及展望 | 第119-121页 |
| 参考文献 | 第121-137页 |
| 攻读博士学位期间取得成果 | 第137-139页 |
| 致谢 | 第139-140页 |
