| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 TFT-LCD的发展 | 第6-9页 |
| 第一节 TFT-LCD技术的发展与回顾 | 第6-7页 |
| 第二节 TFT-LCD产业的发展与现状 | 第7-8页 |
| 第三节 本章小结 | 第8-9页 |
| 第二章 PECVD设备结构和成膜原理 | 第9-17页 |
| 第一节 等离子体 | 第9-10页 |
| 第二节 鞘层和射频二极放电系统 | 第10-11页 |
| 第三节 PECVD设备结构 | 第11-14页 |
| 第四节 PECVD成膜原理 | 第14-16页 |
| 第五节 本章小结 | 第16-17页 |
| 第三章 a-Si：H TFT Active层结构和成膜工艺 | 第17-28页 |
| 第一节 a-Si：H TFT器件结构和阵列工艺 | 第17-22页 |
| 第二节 a-Si：H TFT Active层结构和成膜工艺 | 第22-27页 |
| 第三节 本章小结 | 第27-28页 |
| 第四章 TFT Active层成膜Particle的分析与研究 | 第28-52页 |
| 第一节 Active层成膜Particle概述 | 第28-29页 |
| 第二节 Active层膜下Particle的分析与研究 | 第29-33页 |
| 第三节 Active层膜内Particle的分析与研究 | 第33-47页 |
| 第四节 Active层膜上Particle的分析与研究 | 第47-51页 |
| 第五节 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 论文总结 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
