| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 引言 | 第11-12页 |
| 1 绪论 | 第12-23页 |
| 1.1 半导体纳米材料概述 | 第12-15页 |
| 1.1.1 纳米材料的性质 | 第12页 |
| 1.1.2 半导体纳米材料的特性 | 第12-15页 |
| 1.1.3 半导体纳米材料的分类 | 第15页 |
| 1.2 拉曼光谱原理简介 | 第15-23页 |
| 1.2.1 光散射 | 第15-16页 |
| 1.2.2 拉曼散射 | 第16-17页 |
| 1.2.3 拉曼光谱简介 | 第17-18页 |
| 1.2.4 表面增强拉曼散射 | 第18页 |
| 1.2.5 表面增强拉曼散射增强机理 | 第18-21页 |
| 1.2.6 表面增强拉曼散射活性基底的研究 | 第21-23页 |
| 2 实验部分 | 第23-28页 |
| 2.1 主要实验仪器及药品 | 第23-24页 |
| 2.1.1 实验仪器 | 第23-24页 |
| 2.1.2 实验药品 | 第24页 |
| 2.2 半导体纳米粒子的制备 | 第24-26页 |
| 2.2.1 SnO_2及 Zn 掺杂 SnO_2纳米粒子的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.2 ZrO_2纳米粒子的制备 | 第25-26页 |
| 2.2.3 表面修饰探针分子纳米粒子的制备 | 第26页 |
| 2.3 半导体纳米粒子的表征方法 | 第26-28页 |
| 2.3.1 X-射线衍射仪测试 | 第26-27页 |
| 2.3.2 电子显微镜的测定 | 第27页 |
| 2.3.3 紫外-可见漫反射光谱测定 | 第27页 |
| 2.3.4 X-射线光电子能谱仪测试 | 第27页 |
| 2.3.5 拉曼光谱测定 | 第27-28页 |
| 3 结果与讨论 | 第28-52页 |
| 3.1 Zn 掺杂 SnO_2纳米粒子的表征及其作为 SERS 基底的研究 | 第28-39页 |
| 3.1.1 样品的 SEM 表征 | 第28-29页 |
| 3.1.2 样品 XRD 表征 | 第29-30页 |
| 3.1.3 样品的 Raman 表征 | 第30-31页 |
| 3.1.4 样品的 XPS 表征 | 第31-33页 |
| 3.1.5 探针分子修饰后样品的 XPS 和 UV-Vis DRS 表征 | 第33-34页 |
| 3.1.6 探针分子在样品子上的 SERS 光谱研究 | 第34-39页 |
| 3.1.7 SERS 增强因子评估 | 第39页 |
| 3.2 ZrO_2纳米粒子的表征及其作为 SERS 基底的研究 | 第39-52页 |
| 3.2.1 样品的 SEM 和 TEM 表征 | 第39-41页 |
| 3.2.2 样品的 XRD 表征 | 第41-43页 |
| 3.2.3 样品的 Raman 表征 | 第43-45页 |
| 3.2.4 样品的 XPS 表征 | 第45-46页 |
| 3.2.5 探针分子修饰后样品的 XPS 和 UV-Vis DRS 表征 | 第46-47页 |
| 3.2.6 探针分子在样品上的 SERS 光谱研究 | 第47-50页 |
| 3.2.7 SERS 增强因子评估 | 第50-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
