| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 银纳米线简介 | 第9-14页 |
| 1.2.1 银纳米线 | 第9-10页 |
| 1.2.2 银纳米线的合成 | 第10-12页 |
| 1.2.3 银纳米线的功能 | 第12-14页 |
| 1.3 透明导电材料 | 第14-20页 |
| 1.3.1 ITO薄膜透明材料 | 第14-16页 |
| 1.3.2 ITO材料的替代物 | 第16-20页 |
| 1.4 银纳米线薄膜 | 第20-22页 |
| 1.4.1 银纳米线薄膜的性能及应用 | 第20-22页 |
| 1.5 本论文的思路与内容 | 第22-23页 |
| 第二章 实验部分 | 第23-31页 |
| 2.1 药品、试剂及仪器设备 | 第23-24页 |
| 2.2 银纳米线(AGNWs)的合成 | 第24-25页 |
| 2.2.1 自晶种合成法 | 第24页 |
| 2.2.2 阴离子控制法 | 第24-25页 |
| 2.3 银纳米线薄膜的制备 | 第25-29页 |
| 2.3.1 溶剂过滤器过滤成膜 | 第25-27页 |
| 2.3.2 溶剂挥发成膜 | 第27页 |
| 2.3.3 流动场下组装成膜 | 第27-29页 |
| 2.4 导电透光性的测量 | 第29-31页 |
| 2.4.1 膜电阻的测量 | 第29-30页 |
| 2.4.2 透光度的测量 | 第30-31页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第31-56页 |
| 3.1 银纳米线合成 | 第31-33页 |
| 3.1.1 自晶种法合成银纳米的分析 | 第31-32页 |
| 3.1.2 阴离子控制法合成银纳米线的分析 | 第32-33页 |
| 3.2 过滤成膜及其导电透光性 | 第33-44页 |
| 3.2.1 膜的转移 | 第34-35页 |
| 3.2.2 膜电阻的测量 | 第35页 |
| 3.2.3 银纳米薄膜透光度测量 | 第35-36页 |
| 3.2.4 温度对膜电阻的影响 | 第36-39页 |
| 3.2.5 溶剂过滤器过滤成膜的导电性和透光性 | 第39-42页 |
| 3.2.6 溶剂过滤器过滤成膜的SEM图像分析 | 第42-44页 |
| 3.3 挥发成膜及其导电透光性 | 第44-48页 |
| 3.3.1 挥发成膜的SEM图像分析 | 第44-45页 |
| 3.3.2 自晶种合成法合成AgNWs溶剂挥发成膜的导电透光性 | 第45-47页 |
| 3.3.3 阴离子控制法合成AgNWs溶剂挥发成膜的导电透光性 | 第47-48页 |
| 3.4 流动场下的组装成膜及其导电透光性 | 第48-53页 |
| 3.4.1 基底的处理 | 第48-49页 |
| 3.4.2 自晶种合成法合成AgNWs流动场组装成膜的导电透光性 | 第49-52页 |
| 3.4.3 阴离子控制法合成AgNWs流动场组装成膜的导电透光性 | 第52-53页 |
| 3.5 成膜的比较 | 第53-56页 |
| 第四章 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
