| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 有机无机杂化钙钛矿材料 | 第10-11页 |
| 1.2.1 钙钛矿材料的结构 | 第10-11页 |
| 1.2.2 有机无机杂化钙钛矿材料的物理性质 | 第11页 |
| 1.3 钙钛矿太阳能电池 | 第11-14页 |
| 1.3.1 正式钙钛矿太阳能电池的发展 | 第12-13页 |
| 1.3.2 反式钙钛矿太阳能电池的发展 | 第13-14页 |
| 1.3.3 大面积钙钛矿太阳能电池 | 第14页 |
| 1.4 钙钛矿薄膜的制备技术 | 第14-17页 |
| 1.4.1 溶液法 | 第14-15页 |
| 1.4.2 气固法 | 第15-17页 |
| 1.4.2.1 物理气相沉积法 | 第15页 |
| 1.4.2.2 化学气相沉积法 | 第15-17页 |
| 1.5 本课题的目的和内容 | 第17-18页 |
| 第二章 PbI_2和空穴/电子传输层的优化 | 第18-31页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 实验部分 | 第18-23页 |
| 2.2.1 实验药品 | 第18-19页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第19-21页 |
| 2.2.3 实验过程 | 第21-22页 |
| 2.2.4 实验结果表征 | 第22-23页 |
| 2.3 PbI_2薄膜的优化 | 第23-27页 |
| 2.3.1 溶液法和蒸镀法的比较 | 第23-25页 |
| 2.3.2 基底对薄膜的影响 | 第25-27页 |
| 2.3.2.1 ITO和PEDOT:PSS基底的影响的比较 | 第25-26页 |
| 2.3.2.2 基底温度对薄膜厚度的影响 | 第26-27页 |
| 2.4 空穴/电子传输层的优化 | 第27-29页 |
| 2.4.1 PEDOT:PSS层的厚度和粗糙度 | 第27-28页 |
| 2.4.2 PCBM层厚度的优化 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 管式化学气相沉积法制备MAPbI_3薄膜及光伏器件 | 第31-41页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 实验部分 | 第31-34页 |
| 3.2.1 实验药品和仪器 | 第31-32页 |
| 3.2.2 MAI粉末的制备 | 第32-33页 |
| 3.2.3 MAPbI_3薄膜及光伏器件的制备 | 第33-34页 |
| 3.3 管式化学气相沉积装置 | 第34-37页 |
| 3.3.1 管式化学气相沉积装置的基本结构 | 第34-35页 |
| 3.3.2 管式化学气相沉积装置的特点 | 第35-37页 |
| 3.4 反应时间对MAPbI_3薄膜及光伏器件性能的影响 | 第37-40页 |
| 3.4.1 反应时间对MAPbI_3薄膜表面形貌的影响 | 第37-38页 |
| 3.4.2 反应时间对MAPbI_3薄膜结构的影响 | 第38-39页 |
| 3.4.3 反应时间对光伏器件性能的影响 | 第39-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 对热台法制备MAPbI_3薄膜及光伏器件 | 第41-53页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 实验部分 | 第41-42页 |
| 4.2.1 实验药品与仪器 | 第41页 |
| 4.2.2 薄膜与器件的制备 | 第41-42页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第42-52页 |
| 4.3.1 对热台(PHP)装置 | 第42-43页 |
| 4.3.2 MAI与PbI2薄膜反应过程机理的探究 | 第43-49页 |
| 4.3.2.1 基底对MAPbI_3薄膜形貌的影响 | 第43-44页 |
| 4.3.2.2 基底对MAPbI_3薄膜化学组分的影响 | 第44-45页 |
| 4.3.2.3 MAPbI_3薄膜生成过程的反应机理 | 第45-46页 |
| 4.3.2.4 基底对MAPbI_3薄膜紫外可见吸收的影响 | 第46-48页 |
| 4.3.2.5 MAPbI_3薄膜生长过程的结晶性分析 | 第48-49页 |
| 4.3.3 反应时间对光伏器件性能的影响 | 第49-51页 |
| 4.3.4 钙钛矿太阳能电池的J-V曲线回滞现象 | 第51-52页 |
| 4.3.5 大面积钙钛矿太阳能电池的性能 | 第52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结和展望 | 第53-55页 |
| 5.1 全文总结 | 第53-54页 |
| 5.2 展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
