| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 课题的背景以及研究意义 | 第11-12页 |
| 1.2 太阳能电池光捕获层的纳米结构化 | 第12-15页 |
| 1.2.1 表面纳米结构化 | 第12-13页 |
| 1.2.2 背面纳米结构化 | 第13-14页 |
| 1.2.3 吸收层纳米结构化 | 第14-15页 |
| 1.3 硅材料的刻蚀工艺 | 第15-16页 |
| 1.3.1 干法刻蚀 | 第15-16页 |
| 1.3.2 湿法刻蚀 | 第16页 |
| 1.3.3 气液固生长 | 第16页 |
| 1.4 纳米压印 | 第16-19页 |
| 1.4.1 热法纳米压印 | 第17-18页 |
| 1.4.2 紫外纳米压印 | 第18-19页 |
| 1.4.3 其它几种纳米压印技术 | 第19页 |
| 1.5 本文研究目的及内容 | 第19-21页 |
| 1.5.1 本文研究目的 | 第19-20页 |
| 1.5.2 本文研究内容 | 第20-21页 |
| 2 超薄单晶硅的制备 | 第21-25页 |
| 2.1 实验药品与仪器 | 第21-22页 |
| 2.2 单晶硅的前处理 | 第22页 |
| 2.3 超薄单晶硅片的制备 | 第22-24页 |
| 2.4 本章总结 | 第24-25页 |
| 3 紫外纳米压印应用于超薄硅片 | 第25-36页 |
| 3.1 实验部分 | 第25-29页 |
| 3.1.1 实验药品与仪器 | 第25-26页 |
| 3.1.2 紫外纳米压印流程 | 第26-27页 |
| 3.1.3 PDMS模板的制备 | 第27-28页 |
| 3.1.4 PDMS模板的转移复制 | 第28页 |
| 3.1.5 超薄硅片上的紫外纳米压印及注意事项 | 第28-29页 |
| 3.2 实验结果与讨论 | 第29-35页 |
| 3.2.1 压印胶的旋涂规律 | 第29-30页 |
| 3.2.2 不同尺寸纳米压印图形的制备及形貌 | 第30-35页 |
| 3.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 4 湿法刻蚀制备硅结构 | 第36-43页 |
| 4.1 实验部分 | 第36-38页 |
| 4.1.1 实验药品和仪器 | 第36-37页 |
| 4.1.2 紫外纳米压印辅助金属辅助湿法刻蚀制备硅结构 | 第37-38页 |
| 4.2 实验结果与讨论 | 第38-42页 |
| 4.2.1 紫外纳米压印辅助Ag催化湿法刻蚀 | 第38-40页 |
| 4.2.2 湿法刻蚀的原理 | 第40-42页 |
| 4.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 5 干法刻蚀制备硅结构 | 第43-51页 |
| 5.1 实验部分 | 第43-44页 |
| 5.1.1 实验药品与仪器 | 第43页 |
| 5.1.2 紫外压印辅助反应离子刻蚀制备硅结构 | 第43-44页 |
| 5.2 实验结果与讨论 | 第44-50页 |
| 5.2.1 紫外纳米压印辅助反应离子刻蚀形貌 | 第44-48页 |
| 5.2.2 刻蚀结构的亲疏水性测试 | 第48页 |
| 5.2.3 刻蚀功率对结构的影响 | 第48-49页 |
| 5.2.4 结构的光性能测试 | 第49-50页 |
| 5.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 6 超薄硅双面图形化加工 | 第51-60页 |
| 6.1 实验部分 | 第51-52页 |
| 6.2 实验结果 | 第52-59页 |
| 6.2.1 双面结构硅的形貌 | 第52-53页 |
| 6.2.2 四种光性能测试对比 | 第53-55页 |
| 6.2.3 四种光性能模拟对比 | 第55-59页 |
| 6.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 7 结论与展望 | 第60-63页 |
| 7.1 主要结论 | 第60-61页 |
| 7.2 创新点 | 第61-62页 |
| 7.3 工作展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-72页 |
| 附录 | 第72页 |