| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 前言 | 第11-13页 |
| 1.2 常用的MoS_2薄膜制备技术 | 第13-16页 |
| 1.2.1 物理气相沉积技术 | 第13-14页 |
| 1.2.2 化学气相沉积 | 第14-15页 |
| 1.2.3 制备方法特点分析 | 第15-16页 |
| 1.3 薄膜的微观结构表征方法 | 第16-20页 |
| 1.3.1 拉曼光谱 | 第16页 |
| 1.3.2 X射线衍射 | 第16-17页 |
| 1.3.3 X射线光电子能谱分析 | 第17-18页 |
| 1.3.4 紫外光电子能谱 | 第18-20页 |
| 第二章 pn结型光电器件的理论及研究现状 | 第20-27页 |
| 2.1 pn结的能带理论 | 第20-21页 |
| 2.2 pn结光伏特性 | 第21-22页 |
| 2.3 pn结型太阳电池的主要技术参数 | 第22-23页 |
| 2.3.1 开路电压 | 第22页 |
| 2.3.2 短路电流 | 第22页 |
| 2.3.3 填充因子 | 第22-23页 |
| 2.3.4 太阳电池的转换效率 | 第23页 |
| 2.4 pn结型自驱动光电探测器主要性能参数 | 第23-24页 |
| 2.4.1 量子效率 | 第23-24页 |
| 2.4.2 响应度和探测度 | 第24页 |
| 2.4.3 响应时间 | 第24页 |
| 2.5 MoS_2在光电器件领域的应用 | 第24-26页 |
| 2.5.1 太阳能电池 | 第24-25页 |
| 2.5.2 自驱动光电探测器 | 第25-26页 |
| 2.6 本论文的主要内容 | 第26-27页 |
| 第三章 MoS_2/Si pn结的制备 | 第27-39页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 MoS_2薄膜的制备 | 第27-29页 |
| 3.2.1 制膜设备介绍 | 第27-28页 |
| 3.2.2 靶材的制备 | 第28页 |
| 3.2.3 基片的预处理 | 第28-29页 |
| 3.2.4 薄膜沉积过程 | 第29页 |
| 3.3 MoS_2薄膜的微观结构表征 | 第29-34页 |
| 3.4 MoS_2电学性能测试 | 第34-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 MoS_2/Si pn结的光探测性能研究 | 第39-66页 |
| 4.1 前言 | 第39-40页 |
| 4.2 MoS_2/Si器件自驱动光探测性能影响的研究 | 第40-50页 |
| 4.3 Pd掺杂对器件自驱动光探测性能影响的研究 | 第50-61页 |
| 4.4 ITO/Pd:MoS_2/SiO2/Si器件自驱动光探测性能研究 | 第61-64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-66页 |
| 结论与展望 | 第66-68页 |
| 结论 | 第66页 |
| 展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-76页 |
| 攻读硕士学位期间的取得的学术成果 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78页 |